[發(fā)明專利]用于半導(dǎo)體封裝元件解封的腐蝕液組合物

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810738359.7
• 申請(qǐng)日: 2018-07-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108899276A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-11-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳一;陳慨;王娟
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無(wú)錫通芝微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/311
• 分類號(hào): H01L21/311;H01L21/67
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 林斯凱

1.一種用于半導(dǎo)體封裝元件解封的腐蝕液組合物，其中，所述腐蝕液組合物由發(fā)煙硝酸與濃硫酸依照體積比為約5:1的比例組成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的腐蝕液組合物，其中所述濃硫酸中的硫酸濃度至少為98％以上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的腐蝕液組合物，其中所述發(fā)煙硝酸中的硝酸濃度至少為95％以上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的腐蝕液組合物，其中所述半導(dǎo)體封裝元件中的打線的主要材料為銅。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的腐蝕液組合物，其中所述打線的寬度為約25μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的腐蝕液組合物，其中所述半導(dǎo)體封裝元件中的包覆層包括環(huán)氧樹脂。

7.一種半導(dǎo)體封裝元件解封方法，其包括將半導(dǎo)體封裝元件浸入腐蝕液組合物中，所述腐蝕液組合物由發(fā)煙硝酸與濃硫酸依照體積比為約5:1的比例組成。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其進(jìn)一步包括先將所述腐蝕液組合物加熱到90℃-100℃。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中將所述半導(dǎo)體封裝元件浸入所述腐蝕液組合物中的浸泡時(shí)間為1分鐘至5分鐘。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其進(jìn)一步包括在將所述半導(dǎo)體封裝元件浸入所述腐蝕液組合物中的步驟前，打磨所述半導(dǎo)體封裝元件的窗口。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其進(jìn)一步包括：在將所述半導(dǎo)體封裝元件浸入所述腐蝕液組合物中的步驟后，使用常溫發(fā)煙硝酸清洗所述半導(dǎo)體封裝元件；隨后將所述半導(dǎo)體封裝元件依序通過(guò)第一次清水清洗、超音波清洗及第二次清水清洗。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其進(jìn)一步包括將清洗后的所述半導(dǎo)體封裝元件通過(guò)脫水劑進(jìn)行脫水。