[發明專利]液簾檢測裝置、加工設備及液簾檢測方法有效
| 申請號: | 201810737337.9 | 申請日: | 2018-07-06 |
| 公開(公告)號: | CN108899294B | 公開(公告)日: | 2021-11-02 |
| 發明(設計)人: | 牟永仁;黃于維;黃維儒;林強 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;綿陽京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 檢測 裝置 加工 設備 方法 | ||
一種液簾檢測裝置、加工設備及液簾檢測方法。該液簾檢測裝置包括信號處理單元和多個流量檢測單元。多個流量檢測單元沿預定方向依次排列,用于檢測沿預定方向形成的液簾在不同位置處的流量;信號處理單元配置為接收多個流量檢測單元檢測到的流量數據,并對流量數據進行處理以獲取液簾的狀態信息。該液簾檢測裝置可以用于檢測液簾的均勻性,例如液簾是否存在分叉等,并且該液簾檢測裝置的檢查結果更精確、適用范圍更廣。
技術領域
本公開的實施例涉及一種液簾檢測裝置、加工設備及液簾檢測方法。
背景技術
薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT)液晶顯示裝置、有機發光二極管(Organic Light Emitting Diode,OLED)顯示裝置已經成為顯示市場的主流。這些顯示裝置的陣列基板通常采用半導體集成電路制備技術形成,例如在較大尺寸的襯底基板上通過濺射、化學沉積、刻蝕等工藝形成各種功能膜層、電氣元件等。半導體集成電路制備工藝經常使用液體進行清洗、刻蝕等。例如,在采用濕法刻蝕工藝進行刻蝕時,需要預先對待刻蝕膜層進行預濕潤,以便刻蝕液能夠均勻形成在待刻蝕膜層上。在使用液體操作時,通常使用液簾的方式來施加液體。
發明內容
本公開至少一實施例提供一種液簾檢測裝置,包括信號處理單元和多個流量檢測單元;多個流量檢測單元沿預定方向依次排列,用于檢測沿所述預定方向形成的液簾在不同位置處的流量;信號處理單元配置為接收所述多個流量檢測單元檢測到的流量數據,并對所述流量數據進行處理以獲取所述液簾的狀態信息。
例如,本公開至少一實施例提供的液簾檢測裝置中,所述對流量數據進行處理以獲取所述液簾的狀態信息包括:比較相鄰的所述流量檢測單元所檢測到的流量差異,以確定所述液簾中是否存在分叉。
例如,本公開至少一實施例提供的液簾檢測裝置中,所述信號處理單元還配置為接收所述多個流量檢測單元中每個所述流量檢測單元的位置信息,以確定所述分叉在所述液簾中的位置。
例如,本公開至少一實施例提供的液簾檢測裝置,還包括:報警單元,配置為當確定所述液簾中存在所述分叉時,發出警報。
例如,本公開至少一實施例提供的液簾檢測裝置中,所述流量檢測單元為水車式流量計。
例如,本公開至少一實施例提供的液簾檢測裝置,還包括:位置調節裝置,其中,所述多個流量檢測單元安裝在所述位置調節裝置上,使得所述多個流量檢測單元能夠沿預定方向移動。
例如,本公開至少一實施例提供的液簾檢測裝置中,所述位置調節裝置包括滑塊和滑軌;滑塊用于支撐并移動所述多個流量檢測單元;滑軌包括預定軌道,所述滑塊設置在所述軌道中且可沿所述軌道滑動。
例如,本公開至少一實施例提供的液簾檢測裝置,還包括:驅動單元,與所述位置調節裝置連接且配置為驅動所述位置調節裝置。
本公開至少一實施例提供一種加工設備,包括液簾形成裝置以及對應于所述液簾形成裝置的如上述任一所述的液簾檢測裝置。
例如,本公開至少一實施例提供的加工設備,還包括:清潔裝置,配置根據所述液簾檢測裝置的檢測結果,對所述液簾形成裝置進行清潔操作。
本公開至少一實施例提供一種液簾檢測方法,包括:采用多個流量檢測單元檢測液簾在不同位置處的流量;接收所述多個流量檢測單元檢測到的流量數據,并對所述流量數據進行處理以獲取所述液簾的狀態信息。
例如,本公開至少一實施例提供的液簾檢測方法中,對所述流量數據進行處理以獲取所述液簾的狀態信息包括:比較相鄰的所述流量檢測單元所檢測到的流量差異,以確定所述液簾中是否存在分叉。
例如,本公開至少一實施例提供的液簾檢測方法中,當確定所述液簾中存在所述分叉時,發出警報。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





