[發明專利]一種制備全部覆蓋側面電極的方法

有效

• 申請號: 201810736716.6
• 申請日: 2018-07-06
• 公開（公告）號: CN109052311B
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發明（設計）人: 王文杰;謝武澤;李舒嘯;安寧;李倩;曾建平
• 申請（專利權）人: 中國工程物理研究院電子工程研究所
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00
• 代理公司: 成都天嘉專利事務所(普通合伙) 51211
• 代理人: 蔣斯琪

本發明公開了一種制備全部覆蓋側面電極的方法，屬于光電子技術領域。步驟包括：A．清洗干燥；B．沉積鈍化層；C．光刻刻蝕區；D．臺面刻蝕；E．沉積金屬；F．腐蝕鈍化層；G．退火。通過本制備方法制備的側面電極全部覆蓋的微納電子器件，可以降低電極接觸所產生的非線性結電容和接觸電阻，降低由電極接觸帶來的器件損耗，提升器件性能和穩定性；同時，本制備方法簡單，電極可靠性高。

技術領域

本發明涉及一種制備全部覆蓋側面電極的方法，具體涉及一種制備微納電子器件上側面電極全部覆蓋的方法，屬于光電子技術領域。

背景技術

微納電子器件是指利用微納級加工和制備技術，如：光刻、外延、微細加工、自組裝生長及分子合成技術等，設計制備而成的具有微納級尺度和特定功能的電子器件。其中，納米技術是一門在0.1～100um 尺度空間內, 對電子、原子和分子的運動規律和特性進行研究并加以應用的高科技學科，它的目標是用單原子、分子制造具有特定功能的產品。國內外科技界已普遍認為納米技術已成為當今研究領域中最富有活力、對未來經濟和社會發展有著十分重要的研究對象。納米科技正在推動人類社會產生巨大的變革, 它不僅將促使人類認識的革命, 而且將引發一場新的工業革命。而在微納技術電子器件的實際使用過程中，微納技術電子器的側面電極接觸會帶來器件的損耗，也影響微納技術電子器性能和穩定性。

目前，側面電極的制備方法主要是針對于大尺寸臺階側面，而未出現臺階側面高度小于100um的小尺寸器件側面電極的制備方法，而在微納電子器件加工中，能夠實現臺階側面電極全部覆蓋和部分覆蓋，對提升微納電子器件性能及開拓微納電子器件結構的設計方法具有非常重要的意義。

微納電子器件側面電極的制備方法，屬于半導體微納工藝中的精細加工，由于微納電子器件的加工尺寸小，工藝對準精度要求高，致使微納電子器件的側面電極問題關注的較少，幾乎無相關報道。納米電子器件側面電極存在方式及制備方法為領域內亟需解決的問題。

國知局于2018年05月29日公開了一種公開號為CN108089381A，專利名稱為“側面電極制作方法”的發明專利文獻，公開：在多個正面電極側面和兩玻璃基板側面形成側面電極層，所述兩玻璃基板設置在所述多個正面電極兩側；對所述側面電極層進行激光刻蝕形成多個側面電極，所述多個側面電極分別與對應的正面電極電連接。根據該申請實施例提供的技術方案，通過將玻璃基板上的電路轉移到側面上與正面電極相連接，從而將原有的玻璃基板上的綁定區域取消，實現了顯示器的超窄邊框的設計，可以廣泛應用于小尺寸產品，但該方法需要用多個玻璃基板進行固定，且只能在玻璃基板上進行側面電極加工，尺寸也在毫米量級，不需要用到微納加工工藝，主要針對顯示器邊框，不涉及微納電子器件。

于2009年09月18日公開了一種公開號為CN101916636A，專利名稱為“貼片凹式電極網絡電阻的側面電極形成工藝”的發明專利，公開：印刷正面電極后通過灌孔方式形成側面電極導通層(即原有技術的側面電極的上部)，之后采用掩膜濺射的方式薄膜狀地濺射形成背面電極和穿孔孔壁濺射層，通過穿孔孔壁的濺射層完全覆蓋側面電極導通層而形成有效側面電極，克服了傳統工藝中可能存在因絕緣基板的翹曲及灌孔路徑不一致問題使電阻的正面電極及背面電極不能完全連接形成導通的側面電極的缺點，極大地降低了質量隱患；又濺射層采用賤金屬合金材料其成本及用量較低，有效降低了生產成本，增強了產品市場競爭力。但該側面電極的制備工藝適用于貼片凹式電極網絡電阻，針對于微納電子器件的側面電極制備而言，而不適應，故還是未出現性能穩定及可靠性高的側面電極制備方法。

發明內容

微納電子器件臺階側面電極全部覆蓋和部分覆蓋對于電極面積或特定要求的微納電子器件來說區別很大，對微納電子器件性能有決定性的影響，增大或減小側面電極面積能提升器件的某些性能，比如：減小電極面積，能降低電容；又比如：增大電極面積，能改善器件的電流分布等。