[發明專利]一種制備全部覆蓋側面電極的方法

有效

• 申請號: 201810736716.6
• 申請日: 2018-07-06
• 公開（公告）號: CN109052311B
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發明（設計）人: 王文杰;謝武澤;李舒嘯;安寧;李倩;曾建平
• 申請（專利權）人: 中國工程物理研究院電子工程研究所
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00
• 代理公司: 成都天嘉專利事務所(普通合伙) 51211
• 代理人: 蔣斯琪

1.一種制備全部覆蓋側面電極的方法，其特征在于，包括如下步驟：

A．將半導體原材清洗干燥，具體包括：將半導體原材依次在丙酮溶液中利用20～90KHz超聲波清洗5min，在異丙醇溶液中利用20～90KHz超聲波清洗5min，再在去離子水中利用20～90KHz超聲波清洗10min，以此重復3次；然后，采用高純氮氣吹干；

B．在經步驟A處理后的半導體原材表面沉積鈍化層，鈍化層厚度在200～5000nm；

C．在鈍化層上進行光刻處理，得到具有傾斜角度的光刻膠結構；

光刻處理過程中，勻膠厚度為1.5～5μ m，前烘時間為60～140s，曝光時間為 3.5～8s，顯影時間為35～51s；

D．在經步驟C處理后的半導體原材上刻蝕出臺面陡直度為40～80°的臺階；

E．在臺階上沉積金屬，然后溶解光刻膠，于半導體原材側面形成接觸電極；

具體包括：利用薄膜沉積法，在臺階上逐層沉積金屬電極材料，并形成多層金屬；然后，浸泡在丙酮溶液中，直至光刻膠溶解；最后，剝離附著在光刻膠上的金屬，于半導體原材側面形成接觸電極；

F．將側面形成接觸電極的半導體原材腐蝕鈍化層，形成側面電極初品；

具體包括：將經步驟E所得側面形成接觸電極的半導體原材置于氫氟酸緩沖液中，腐蝕，除鈍化層，最后形成側面電極初品；

G．將側面電極初品進行退火處理，得側面電極終產品；

退火處理具體包括：將側面電極初產品以20～30℃/min速率加熱至350～500℃，保持3～5min，然后以10～20℃/min速率冷卻至20～100℃；

所述半導體原材用于制備微納級的平面橫向肖特基二極管。

2.根據權利要求1所述的制備全部覆蓋側面電極的方法，其特征在于，在步驟B中，沉積鈍化層方法為薄膜沉積法。

3.根據權利要求1或2所述的制備全部覆蓋側面電極的方法，其特征在于，在步驟B中，所述鈍化層為二氧化硅材質或氮化硅材質。

4.根據權利要求1所述的制備全部覆蓋側面電極的方法，其特征在于，在步驟D中，所述刻蝕方法包括干法刻蝕及濕法刻蝕中的一種或者兩種同時使用。

5.根據權利要求1所述的制備全部覆蓋側面電極的方法，其特征在于，所述薄膜沉積法為電子束蒸發技術或磁控濺射技術。