[發(fā)明專利]一種制備部分覆蓋側(cè)面電極的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810736715.1
• 申請(qǐng)日: 2018-07-06
• 公開（公告）號(hào): CN109052310B
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王文杰;謝武澤;李舒嘯;安寧;李倩;曾建平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)工程物理研究院電子工程研究所
• 主分類號(hào): B81C1/00
• 分類號(hào): B81C1/00
• 代理公司: 成都天嘉專利事務(wù)所(普通合伙) 51211
• 代理人: 蔣斯琪

本發(fā)明公開了一種制備部分覆蓋側(cè)面電極的方法，屬于光電子技術(shù)領(lǐng)域。步驟包括：A．第一次清洗干燥，B．第一次光刻，C.第一次刻蝕，D．第二次清洗干燥，E．沉積鈍化層，F(xiàn)．第二次光刻，G．第二次刻蝕，H．沉積電極，I．腐蝕，J．退火。通過增加預(yù)刻蝕臺(tái)階，在鈍化層去除的同時(shí)，除去臺(tái)面?zhèn)让娴牟糠纸佑|金屬電極，實(shí)現(xiàn)側(cè)面電極的部分覆蓋，在保證良好的附著接觸質(zhì)量前提下，所制備電極結(jié)構(gòu)滿足低的接觸非線性結(jié)電容和接觸電阻；同時(shí)，本制備方法簡(jiǎn)單，電極可靠性高。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種制備側(cè)面電極的方法，具體涉及一種制備微納電子器件上側(cè)面電極部分覆蓋的方法，屬于光電子技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)

微納電子器件是指利用微納級(jí)加工和制備技術(shù)，如：光刻、外延、微細(xì)加工、自組裝生長(zhǎng)及分子合成技術(shù)等，設(shè)計(jì)制備而成的具有微納級(jí)尺度和特定功能的電子器件。其中，納米技術(shù)是一門在0.1～100um 尺度空間內(nèi), 對(duì)電子、原子和分子的運(yùn)動(dòng)規(guī)律和特性進(jìn)行研究并加以應(yīng)用的高科技學(xué)科，它的目標(biāo)是用單原子、分子制造具有特定功能的產(chǎn)品。國(guó)內(nèi)外科技界已普遍認(rèn)為納米技術(shù)已成為當(dāng)今研究領(lǐng)域中最富有活力、對(duì)未來經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展有著十分重要的研究對(duì)象。納米科技正在推動(dòng)人類社會(huì)產(chǎn)生巨大的變革, 它不僅將促使人類認(rèn)識(shí)的革命, 而且將引發(fā)一場(chǎng)新的工業(yè)革命。而在微納技術(shù)電子器件的實(shí)際使用過程中，微納技術(shù)電子器的側(cè)面電極接觸會(huì)帶來器件的損耗，也影響微納技術(shù)電子器性能和穩(wěn)定性。

目前，側(cè)面電極的制備方法主要是針對(duì)于大尺寸臺(tái)階側(cè)面，而未出現(xiàn)臺(tái)階側(cè)面高度小于100um的小尺寸器件側(cè)面電極的制備方法，而在微納電子器件加工中，能夠?qū)崿F(xiàn)臺(tái)階側(cè)面電極全部覆蓋和部分覆蓋，對(duì)提升微納電子器件性能及開拓微納電子器件結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)方法具有非常重要的意義。

微納電子器件側(cè)面電極的制備方法，屬于半導(dǎo)體微納工藝中的精細(xì)加工，由于微納電子器件的加工尺寸小，工藝對(duì)準(zhǔn)精度要求高，致使微納電子器件的側(cè)面電極問題關(guān)注的較少，幾乎無相關(guān)報(bào)道。納米電子器件側(cè)面電極存在方式及制備方法為領(lǐng)域內(nèi)亟需解決的問題。

國(guó)知局于2018年05月29日公開了一種公開號(hào)為CN108089381A，專利名稱為“側(cè)面電極制作方法”的發(fā)明專利文獻(xiàn)，公開：在多個(gè)正面電極側(cè)面和兩玻璃基板側(cè)面形成側(cè)面電極層，所述兩玻璃基板設(shè)置在所述多個(gè)正面電極兩側(cè)；對(duì)所述側(cè)面電極層進(jìn)行激光刻蝕形成多個(gè)側(cè)面電極，所述多個(gè)側(cè)面電極分別與對(duì)應(yīng)的正面電極電連接。根據(jù)該申請(qǐng)實(shí)施例提供的技術(shù)方案，通過將玻璃基板上的電路轉(zhuǎn)移到側(cè)面上與正面電極相連接，從而將原有的玻璃基板上的綁定區(qū)域取消，實(shí)現(xiàn)了顯示器的超窄邊框的設(shè)計(jì)，可以廣泛應(yīng)用于小尺寸產(chǎn)品，但該方法需要用多個(gè)玻璃基板進(jìn)行固定，且只能在玻璃基板上進(jìn)行側(cè)面電極加工，尺寸也在毫米量級(jí)，不需要用到微納加工工藝，主要針對(duì)顯示器邊框，不涉及微納電子器件。

于2009年09月18日公開了一種公開號(hào)為CN101916636A，專利名稱為“貼片凹式電極網(wǎng)絡(luò)電阻的側(cè)面電極形成工藝”的發(fā)明專利，公開：印刷正面電極后通過灌孔方式形成側(cè)面電極導(dǎo)通層(即原有技術(shù)的側(cè)面電極的上部)，之后采用掩膜濺射的方式薄膜狀地濺射形成背面電極和穿孔孔壁濺射層，通過穿孔孔壁的濺射層完全覆蓋側(cè)面電極導(dǎo)通層而形成有效側(cè)面電極，克服了傳統(tǒng)工藝中可能存在因絕緣基板的翹曲及灌孔路徑不一致問題使電阻的正面電極及背面電極不能完全連接形成導(dǎo)通的側(cè)面電極的缺點(diǎn)，極大地降低了質(zhì)量隱患；又濺射層采用賤金屬合金材料其成本及用量較低，有效降低了生產(chǎn)成本，增強(qiáng)了產(chǎn)品市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。但該側(cè)面電極的制備工藝適用于貼片凹式電極網(wǎng)絡(luò)電阻，針對(duì)于微納電子器件的側(cè)面電極制備而言，而不適應(yīng)，故還是未出現(xiàn)性能穩(wěn)定及可靠性高的側(cè)面電極制備方法。

發(fā)明內(nèi)容

微納電子器件臺(tái)階側(cè)面電極全部覆蓋和部分覆蓋對(duì)于電極面積或特定要求的微納電子器件來說區(qū)別很大，對(duì)微納電子器件性能有決定性的影響，增大或減小側(cè)面電極面積能提升器件的某些性能，比如：減小電極面積，能降低電容；又比如：增大電極面積，能改善器件的電流分布等。