[發(fā)明專利]一種制備部分覆蓋側(cè)面電極的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810736715.1
• 申請(qǐng)日: 2018-07-06
• 公開（公告）號(hào): CN109052310B
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王文杰;謝武澤;李舒嘯;安寧;李倩;曾建平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)工程物理研究院電子工程研究所
• 主分類號(hào): B81C1/00
• 分類號(hào): B81C1/00
• 代理公司: 成都天嘉專利事務(wù)所(普通合伙) 51211
• 代理人: 蔣斯琪

1.一種制備部分覆蓋側(cè)面電極的方法，其特征在于，包括如下步驟：

A．將半導(dǎo)體原材清洗干燥，具體包括：將半導(dǎo)體原材在丙酮溶液中利用20～90KHz超聲波清洗5min，在異丙醇溶液中利用20～90KHz超聲波清洗5min，再在去離子水中利用20～90KHz超聲波清洗10min，以此重復(fù)3次；然后，采用高純氮?dú)獯蹈桑?/p>

B. 利用光刻技術(shù)在清洗干燥后的半導(dǎo)體原材上光刻預(yù)刻蝕區(qū)，得到具有傾斜角的光刻膠結(jié)構(gòu)；光刻處理過(guò)程中，勻膠厚度為1.5～5μ m，前烘時(shí)間為60～140s，曝光時(shí)間為3.5～8s ，顯影時(shí)間為35～51s；

C．利用刻蝕技術(shù)在經(jīng)步驟B處理后的半導(dǎo)體原材上刻蝕出預(yù)刻蝕臺(tái)階；

D．將經(jīng)步驟C處理后的半導(dǎo)體原材清洗干燥，具體包括：將半導(dǎo)體原材在丙酮溶液中利用20～90KHz超聲波清洗5min，在異丙醇溶液中利用20～90KHz超聲波清洗5min，再在去離子水中利用20～90KHz超聲波清洗10min，以此重復(fù)3次；然后，采用高純氮?dú)獯蹈桑?/p>

E．于半導(dǎo)體原材表面沉積鈍化層，鈍化層厚度在200～5000nm；

F．在鈍化層上進(jìn)行光刻處理，得到具有傾斜角的光刻膠結(jié)構(gòu)；光刻處理過(guò)程中，勻膠厚度為1.5～5μ m，前烘時(shí)間為60～140s，曝光時(shí)間為 3.5～8s ，顯影時(shí)間為35～51s；

G．在經(jīng)步驟F處理后的半導(dǎo)體原材上刻蝕出臺(tái)面陡直度為40～80°的臺(tái)階；

H．在臺(tái)階上沉積金屬，然后溶解光刻膠，于半導(dǎo)體原材側(cè)面形成接觸電極；

具體包括：利用薄膜沉積法，在臺(tái)階上逐層沉積金屬電極材料，并形成多層金屬；然后，浸泡在丙酮溶液中，直至光刻膠溶解；最后，剝離附著在光刻膠上的金屬，于半導(dǎo)體原材側(cè)面形成部分覆蓋接觸電極；

I．腐蝕鈍化層，形成部分覆蓋側(cè)面電極初品；

具體包括：將經(jīng)步驟H所得側(cè)面形成部分覆蓋接觸電極的半導(dǎo)體原材置于氫氟酸緩沖液中，腐蝕，除鈍化層，最后形成部分覆蓋側(cè)面電極初品；

J．將部分覆蓋側(cè)面電極初品進(jìn)行退火處理，得部分覆蓋側(cè)面電極終產(chǎn)品；

退火處理具體包括：將側(cè)面電極初產(chǎn)品以20～30℃/min速率加熱至350～500℃，保持3～5min，然后以10～20℃/min速率冷卻至20～100℃；

所述半導(dǎo)體原材用于制備微納級(jí)的平面橫向肖特基二極管。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備部分覆蓋側(cè)面電極的方法，其特征在于，在步驟E中，沉積鈍化層方法為薄膜沉積法。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備部分覆蓋側(cè)面電極的方法，其特征在于，在步驟E中，所述鈍化層為二氧化硅材質(zhì)或氮化硅材質(zhì)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備部分覆蓋側(cè)面電極的方法，其特征在于，所述薄膜沉積法為電子束蒸發(fā)技術(shù)或磁控濺射技術(shù)。