[發明專利]靜電卡盤的制造方法和靜電卡盤

有效

• 申請號: 201810736687.3
• 申請日: 2018-07-06
• 公開（公告）號: CN109216253B
• 公開（公告）日: 2023-03-10
• 發明（設計）人: 多賀敏;小林義之;永關一也
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

本發明提供一種能夠抑制在基板的背面發生的放電的靜電卡盤的制造方法和靜電卡盤。在該靜電卡盤的制造方法中，該靜電卡盤通過向第一電極層施加電壓來吸附基板，所述靜電卡盤的制造方法包括以下步驟：在基臺上的第一樹脂層上形成所述第一電極層的步驟；以及向所述第一電極層上噴鍍陶瓷或含有陶瓷的物質，其中，噴鍍所述陶瓷或含有陶瓷的物質的步驟包括以下步驟：利用等離子體生成氣體來運送從給料機投入到噴嘴內的噴鍍材料的粉末，從噴嘴的前端部的開口噴射該粉末；利用500W～10kW的電力使所噴射的等離子體生成氣體解離，來生成與所述噴嘴具有共同的軸芯的等離子體；以及利用生成的等離子體使噴鍍材料的粉末以液狀在所述第一電極層上成膜。

技術領域

本發明涉及一種靜電卡盤的制造方法和靜電卡盤。

背景技術

提出了如下一種靜電卡盤：對電極施加電壓，通過庫倫力對晶圓進行靜電吸附來保持晶圓，以保持載置臺上的晶圓(例如參照專利文獻1)。

靜電卡盤采取在電介質的內部包含電極層的構造。該電介質越厚，則靜電電容越低，晶圓與載置臺之間的電位差越大，在晶圓的背面引起放電的傾向越高。例如，在基臺側形成有多個供用于舉起晶圓的銷通過的孔、用于向晶圓與載置臺之間供給的傳熱氣體流通的孔等。當晶圓與基臺之間的電位差大時，有時在形成于晶圓的背面的附近的多個孔的附近等發生異常放電。

專利文獻1：日本特開2009-200393號公報

發明內容

發明要解決的問題

然而，在至今為止的靜電卡盤中，電介質的材料使用陶瓷燒結料、或者使粒徑為30μm以上的噴鍍材料熔化后進行噴鍍而成的陶瓷。因此，難以實現電介質的薄型化。其結果是，無法有效地抑制在晶圓的背面發生的放電。

針對上述課題，在一個方面中，本發明的目的在于提供一種能夠抑制在基板的背面發生的放電的靜電卡盤。

用于解決問題的方案

為了解決上述課題，根據一個方式，提供一種靜電卡盤的制造方法，該靜電卡盤通過向第一電極層施加電壓來吸附基板，所述靜電卡盤的制造方法的特征在于，包括以下步驟：在基臺上的第一樹脂層上形成所述第一電極層；以及向所述第一電極層上噴鍍陶瓷或含有陶瓷的物質的步驟，其中，噴鍍所述陶瓷或含有陶瓷的物質的步驟包括以下步驟：利用等離子體生成氣體來運送從給料機投入到噴嘴內的噴鍍材料的粉末，從噴嘴的前端部的開口噴射該粉末；利用500W～10kW的電力使所噴射的等離子體生成氣體解離，來生成與所述噴嘴具有共同的軸芯的等離子體；以及利用生成的等離子體使噴鍍材料的粉末以液狀在所述第一電極層上成膜。

發明的效果

根據一個方面，提供一種能夠抑制在基板的背面發生的放電的靜電卡盤。

附圖說明

圖1是表示一個實施方式所涉及的基板處理裝置的一例的圖。

圖2是表示第一實施方式所涉及的靜電卡盤的結構的一例的圖。

圖3是表示第一實施方式所涉及的聚酰亞胺和氧化鋁的物理屬性值的圖。

圖4是表示第二實施方式所涉及的靜電卡盤的結構的一例的圖。

圖5是表示第三實施方式所涉及的靜電卡盤的結構的一例的圖。

圖6是表示第四實施方式所涉及的靜電卡盤的結構的一例的圖。

圖7是表示第五實施方式所涉及的靜電卡盤的結構的一例的圖。

圖8是表示第六實施方式所涉及的靜電卡盤的結構的一例的圖。

圖9是表示一個實施方式所涉及的電極接觸部和貫通孔的構造的一例的圖。