[發明專利]靜電卡盤的制造方法和靜電卡盤

有效

• 申請號: 201810736687.3
• 申請日: 2018-07-06
• 公開（公告）號: CN109216253B
• 公開（公告）日: 2023-03-10
• 發明（設計）人: 多賀敏;小林義之;永關一也
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種靜電卡盤的制造方法，該靜電卡盤通過向第一電極層施加電壓來吸附基板，所述靜電卡盤的制造方法的特征在于，包括以下步驟：

在基臺上的第一樹脂層上形成所述第一電極層；以及

向所述第一電極層上噴鍍陶瓷或含有陶瓷的物質，

其中，噴鍍所述陶瓷或含有陶瓷的物質的步驟包括以下步驟：

利用等離子體生成氣體來運送從給料機投入到噴嘴內的噴鍍材料的粉末，從噴嘴的前端部的開口噴射該粉末；

利用500W～10kW的電力使所噴射的等離子體生成氣體解離，來生成與所述噴嘴具有共同的軸芯的等離子體；以及

利用生成的等離子體使噴鍍材料的粉末以液狀在所述第一電極層上成膜，

其中，所述第一樹脂層的直徑大于所述基臺的上表面的直徑。

2.根據權利要求1所述的靜電卡盤的制造方法，其特征在于，

所述噴鍍材料為陶瓷或在陶瓷中添加金屬而成的復合材料。

3.根據權利要求2所述的靜電卡盤的制造方法，其特征在于，

所述噴鍍材料為Al₂O₃、在Al₂O₃中添加添加料而成的復合材料、Y₂O₃或在Y₂O₃中添加添加料而成的復合材料中的任一種材料。

4.根據權利要求3所述的靜電卡盤的制造方法，其特征在于，

所述添加料為鈦、鋁或碳化硅。

5.根據權利要求1～3中的任一項所述的靜電卡盤的制造方法，其特征在于，

所述噴鍍材料的粉末的粒徑為1μm～20μm。

6.根據權利要求1～3中的任一項所述的靜電卡盤的制造方法，其特征在于，

具有在向第一樹脂層上形成所述第一電極層的步驟之后、且向所述第一電極層上噴鍍陶瓷或含有陶瓷的物質的步驟之前形成第二樹脂層的步驟。

7.根據權利要求1～3中的任一項所述的靜電卡盤的制造方法，其特征在于，

所述第一樹脂層為聚酰亞胺樹脂、硅酮樹脂、環氧樹脂以及丙烯酸樹脂中的任一種樹脂。

8.根據權利要求6所述的靜電卡盤的制造方法，其特征在于，

所述第一樹脂層與所述第二樹脂層的組合為聚酰亞胺樹脂、硅酮樹脂、環氧樹脂以及丙烯酸樹脂中的相同種類或不同種類的樹脂的任意組合。

9.根據權利要求1～3中的任一項所述的靜電卡盤的制造方法，其特征在于，

以覆蓋所述第一樹脂層的方式噴鍍所述陶瓷或含有陶瓷的物質。

10.根據權利要求9所述的靜電卡盤的制造方法，其特征在于，

包括在所述第一樹脂層上形成聚焦環用的第二電極層的步驟，

在該靜電卡盤的制造方法中，向所述第一電極層和所述第二電極層上噴鍍陶瓷或含有陶瓷的物質。

11.根據權利要求10所述的靜電卡盤的制造方法，其特征在于，

所述第一樹脂層形成于所述基臺的上表面，不形成于該基臺的側面。

12.根據權利要求6所述的靜電卡盤的制造方法，其特征在于，

以覆蓋所述第一樹脂層和所述第二樹脂層的方式噴鍍所述陶瓷或含有陶瓷的物質。

13.根據權利要求12所述的靜電卡盤的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

在所述第一樹脂層上形成聚焦環用的第二電極層；以及

在所述第一電極層和所述第二電極層上形成所述第二樹脂層，

在該靜電卡盤的制造方法中，向所述第二樹脂層上噴鍍陶瓷或含有陶瓷的物質。