[發明專利]半導體結構

在審

• 申請號: 201810734843.2
• 申請日: 2018-07-06
• 公開（公告）號: CN109755184A
• 公開（公告）日: 2019-05-14
• 發明（設計）人: 陳憲偉;楊慶榮;陳明發
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/29
• 分類號: H01L23/29;H01L23/31;H01L23/14
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 蔣林清

本發明實施例涉及一種半導體結構，其包含：襯底；第一裸片，其垂直地位于所述襯底上方；第二裸片，其垂直地位于所述襯底上方且與所述第一裸片側向隔開一間隙；和絕緣材料，其位于所述間隙中。當從俯視視角觀看時，所述襯底至少部分與所述間隙重疊，且所述襯底的楊氏(Young)模數高于所述絕緣材料的楊氏模數。

技術領域

本發明實施例涉及半導體結構。

背景技術

使用半導體結構的電子設備對眾多現代應用而言是必不可少的。隨著電子科技的進步，半導體結構不斷變小，而功能和集成集成電路數量變得更多。隨著半導體結構的功能增多和尺寸變小，大量制造操作的實施變得更復雜。

半導體結構的制造操作涉及針對小而薄的半導體結構的眾多步驟和操作。制造小尺寸半導體結構變得越來越復雜。制造半導體結構的復雜性增加會導致例如不佳電互連、組件分層或其它問題的缺陷，從而導致半導體結構的高良率損失和制造成本增加。因而，修改半導體結構的結構且改進制造操作面臨眾多挑戰。

發明內容

根據本發明的一實施例，一種半導體結構包括：襯底；第一裸片，其垂直地位于所述襯底上方；第二裸片，其垂直地位于所述襯底上方且與所述第一裸片側向隔開；和絕緣材料，其位于所述第一裸片與所述第二裸片之間，其中從俯視視角看，所述襯底至少部分與所述絕緣材料重疊，且所述襯底的楊氏(Young)模數高于所述絕緣材料的楊氏模數。

根據本發明的一實施例，一種半導體結構包括：襯底，從俯視視角看，所述襯底具有對稱形狀；第一裸片，其垂直地位于所述襯底上方；第二裸片，其垂直地位于所述襯底上方且與所述第一裸片側向隔開；和絕緣材料，其位于所述第一裸片與所述第二裸片之間，其中所述襯底的熱膨脹系數(CTE)低于所述絕緣材料的CTE。

根據本發明的一實施例，一種半導體結構包括：襯底；第一裸片，其垂直地位于所述襯底上方；第二裸片，其垂直地位于所述襯底上方且與所述第一裸片側向相鄰；和絕緣材料，其位于所述第一裸片與所述第二裸片之間，其中從俯視視角看，所述絕緣材料、相鄰于所述絕緣材料的所述第一裸片的一部分和相鄰于所述絕緣材料的所述第二裸片的一部分與所述襯底重疊，且所述襯底的楊氏模數高于所述絕緣材料的楊氏模數。

附圖說明

從結合附圖閱讀的以下詳細描述最佳理解本揭露的方面。應強調，根據工業上的標準慣例，各種構件未按比例繪制。實際上，為使討論清楚，可任意增大或減小各種件的尺寸。

圖1是根據本揭露的一些實施例的半導體結構的橫截面圖。

圖2是根據本揭露的一些實施例的半導體結構的橫截面圖。

圖3是根據本揭露的一些實施例的半導體結構的橫截面圖。

圖4是根據本揭露的一些實施例的半導體結構的橫截面圖。

圖5是根據本揭露的一些實施例的半導體結構的橫截面圖。

圖6是根據本揭露的一些實施例的半導體結構的橫截面圖。

圖7是根據本揭露的一些實施例的半導體結構的俯視圖。

圖8是根據本揭露的一些實施例的半導體結構的俯視圖。

圖9是根據本揭露的一些實施例的半導體結構的俯視圖。

圖10是根據本揭露的一些實施例的半導體結構的俯視圖。

具體實施方式