[發明專利]半導體結構在審
| 申請號： | 201810734843.2 | 申請日： | 2018-07-06 |
| 公開（公告）號： | CN109755184A | 公開（公告）日： | 2019-05-14 |
| 發明（設計）人： | 陳憲偉;楊慶榮;陳明發 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/29 | 分類號： | H01L23/29;H01L23/31;H01L23/14 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 蔣林清 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 襯底 裸片 半導體結構 絕緣材料 垂直地 側向隔開 楊氏模數 模數 俯視 視角 觀看 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體結構，其包括：
襯底；
第一裸片，其垂直地位于所述襯底上方；
第二裸片，其垂直地位于所述襯底上方且與所述第一裸片側向隔開；和
絕緣材料，其位于所述第一裸片與所述第二裸片之間，
其中從俯視視角看，所述襯底至少部分與所述絕緣材料重疊，且所述襯底的楊氏(Young)模數高于所述絕緣材料的楊氏模數。
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