[發明專利]一種VCSEL芯片及制作方法有效

申請號：	201810731132.X	申請日：	2018-07-05
公開（公告）號：	CN108923253B	公開（公告）日：	2020-07-28
發明（設計）人：	賈釗;趙炆兼;馬祥柱;張國慶;陳凱軒	申請（專利權）人：	揚州乾照光電有限公司
主分類號：	H01S5/183	分類號：	H01S5/183;H01S5/34
代理公司：	北京集佳知識產權代理有限公司 11227	代理人：	王寶筠
地址：	225101 江蘇省***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種 vcsel 芯片制作方法
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【說明書】：

本發明公開了一種VCSEL芯片及制作方法，該制作方法包括：提供一襯底，襯底劃分為中間區域和包圍中間區域的邊緣區域；在中間區域上生長覆蓋中間區域的結構層；生長氧化層，氧化層覆蓋邊緣區域以及覆蓋結構層的側壁和背離襯底一側的表面；在氧化層背離結構層的一側生長第一保護層，第一保護層部分覆蓋中間區域，在氧化層背離襯底的一側生長第二保護層，第二保護層部分覆蓋邊緣區域；對氧化層進行氧化處理；去除第一保護層，并在氧化層背離結構層的一側生長P型布拉格反射鏡層；去除第二保護層，并制作電極結構。該制作方法降低了工藝難度，在氧化處理階段對氧化層進行氧化處理后再生長額外的外延層結構，其氧化均勻性很容易得以控制。

技術領域

本發明涉及VCSEL芯片技術領域，更具體地說，尤其涉及一種VCSEL芯片及制作方法。

背景技術

隨著科學技術的不斷發展，各種各樣的VCSEL芯片已廣泛應用于人們的日常生活、工作以及工業中，為人們的生活帶來了極大的便利。

垂直腔面發射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser，VCSEL)有別于LED(Light Emitting Diode，發光二極管)和LD(Laser Diode，激光二極管)等其他光源，具有體積小、圓形輸出光斑、單縱模輸出、閾值電流小、價格低廉且易集成大面積陣列等優點，廣泛應用于光通信、光互連和光存儲等領域。

但是，目前的VCSEL芯片制作工藝難度大，主要表現為在對整個生長完成后的外延層進行ICP刻蝕(Inductively Couple Plasma Etch，感應耦合等離子體刻蝕)后，在ICP刻蝕的孔或臺階內進行氧化處理，導致各個工序的精度要求很高，并且ICP刻蝕和氧化時的均勻性無法得以控制，使ICP刻蝕的均勻性和氧化均勻性較差，進而導致VCSEL芯片良率參差不齊。

發明內容

為解決上述問題，本發明提供了一種VCSEL芯片及制作方法，該制作方法簡單，降低了VCSEL芯片的工藝難度。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

一種VCSEL芯片的制作方法，所述制作方法包括：

提供一襯底，所述襯底劃分為中間區域和包圍所述中間區域的邊緣區域；

在所述中間區域上生長結構層，所述結構層全覆蓋所述中間區域，所述結構層在第一方向上依次包括N型布拉格反射鏡層和MQW多量子阱層，所述第一方向垂直于所述襯底，且由所述襯底指向所述P型布拉格反射鏡層；

生長氧化層，所述氧化層覆蓋所述邊緣區域以及覆蓋所述結構層的側壁和背離所述襯底一側的表面；

在所述氧化層背離所述結構層的一側生長第一保護層，所述第一保護層部分覆蓋所述中間區域，以及，在所述氧化層背離所述襯底的一側生長第二保護層，所述第二保護層部分覆蓋所述邊緣區域；

對所述氧化層進行氧化處理；

去除所述第一保護層，并在所述氧化層背離所述結構層的一側生長P型布拉格反射鏡層，所述P型布拉格反射鏡層全覆蓋所述中間區域；

去除所述第二保護層，并制作電極結構。

優選的，在上述制作方法中，所述襯底為GaAs襯底。