[發(fā)明專利]一種VCSEL芯片及制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810731132.X | 申請日： | 2018-07-05 |
| 公開（公告）號： | CN108923253B | 公開（公告）日： | 2020-07-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 賈釗;趙炆兼;馬祥柱;張國慶;陳凱軒 | 申請（專利權(quán)）人： | 揚(yáng)州乾照光電有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/183 | 分類號： | H01S5/183;H01S5/34 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 王寶筠 |
| 地址： | 225101 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 vcsel 芯片 制作方法 | ||
1.一種VCSEL芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
提供一襯底，所述襯底劃分為中間區(qū)域和包圍所述中間區(qū)域的邊緣區(qū)域；
在所述中間區(qū)域上生長結(jié)構(gòu)層，所述結(jié)構(gòu)層全覆蓋所述中間區(qū)域，所述結(jié)構(gòu)層在第一方向上依次包括N型布拉格反射鏡層和MQW多量子阱層，所述第一方向垂直于所述襯底，且由所述襯底指向P型布拉格反射鏡層；
生長氧化層，所述氧化層覆蓋所述邊緣區(qū)域以及覆蓋所述結(jié)構(gòu)層的側(cè)壁和背離所述襯底一側(cè)的表面；
在所述氧化層背離所述結(jié)構(gòu)層的一側(cè)生長第一保護(hù)層，所述第一保護(hù)層部分覆蓋所述中間區(qū)域，以及，在所述氧化層背離所述襯底的一側(cè)生長第二保護(hù)層，所述第二保護(hù)層部分覆蓋所述邊緣區(qū)域；
對所述氧化層進(jìn)行氧化處理；
去除所述第一保護(hù)層，并在所述氧化層背離所述結(jié)構(gòu)層的一側(cè)生長P型布拉格反射鏡層，所述P型布拉格反射鏡層全覆蓋所述中間區(qū)域；
去除所述第二保護(hù)層，并制作電極結(jié)構(gòu)；
其中，所述制作電極結(jié)構(gòu)包括：
在所述P型布拉格反射鏡層背離所述氧化層的一側(cè)生長P型電極；
在所述氧化層背離所述襯底的一側(cè)生長N型電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述襯底為GaAs襯底。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述中間區(qū)域上生長結(jié)構(gòu)層，所述結(jié)構(gòu)層全覆蓋所述中間區(qū)域，所述結(jié)構(gòu)層在第一方向上依次包括N型布拉格反射鏡層和MQW多量子阱層包括：
在所述襯底上生長第三保護(hù)層；
對所述第三保護(hù)層進(jìn)行圖形化光刻處理，以暴露出所述襯底的中間區(qū)域；
在所述中間區(qū)域上生長所述結(jié)構(gòu)層，所述結(jié)構(gòu)層全覆蓋所述中間區(qū)域；
去除所述第三保護(hù)層；
其中，所述結(jié)構(gòu)層在所述第一方向上依次包括N型布拉格反射鏡層和MQW多量子阱層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述中間區(qū)域上生長結(jié)構(gòu)層，所述結(jié)構(gòu)層全覆蓋所述中間區(qū)域，所述結(jié)構(gòu)層在第一方向上依次包括N型布拉格反射鏡層和MQW多量子阱層包括：
在所述襯底上生長所述結(jié)構(gòu)層，所述結(jié)構(gòu)層全覆蓋所述襯底；
對所述結(jié)構(gòu)層進(jìn)行刻蝕處理，以暴露出所述襯底的邊緣區(qū)域；
其中，所述結(jié)構(gòu)層在所述第一方向上依次包括N型布拉格反射鏡層和MQW多量子阱層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述P型電極和所述N型電極的材料相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述氧化層在所述第一方向上的厚度范圍為8nm-12nm，包括端點值。
7.一種VCSEL芯片，其特征在于，由上述權(quán)利要求1-6任一項所述的制作方法制作，所述VCSEL芯片包括：
襯底，所述襯底劃分為中間區(qū)域和包圍所述中間區(qū)域的邊緣區(qū)域；
設(shè)置在所述中間區(qū)域上的結(jié)構(gòu)層，所述結(jié)構(gòu)層全覆蓋所述中間區(qū)域，所述結(jié)構(gòu)層在第一方向上依次包括N型布拉格反射鏡層和MQW多量子阱層，所述第一方向垂直于所述襯底，且由所述襯底指向P型布拉格反射鏡層；
氧化層，所述氧化層覆蓋所述邊緣區(qū)域以及覆蓋所述結(jié)構(gòu)層的側(cè)壁和背離所述襯底一側(cè)的表面；
設(shè)置在所述氧化層背離所述結(jié)構(gòu)層一側(cè)的P型布拉格反射鏡層，所述P型布拉格反射鏡層全覆蓋所述中間區(qū)域；
電極結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的VCSEL芯片，其特征在于，所述電極結(jié)構(gòu)包括：
設(shè)置在所述P型布拉格反射鏡層背離所述氧化層一側(cè)的P型電極；
設(shè)置在所述氧化層背離所述襯底一側(cè)的N型電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的VCSEL芯片，其特征在于，所述P型布拉格反射鏡層覆蓋的氧化層，部分是進(jìn)行氧化處理后的氧化層和部分是未進(jìn)行氧化處理的氧化層；
所述N型電極覆蓋的氧化層，均是未進(jìn)行氧化處理的氧化層；
暴露出的氧化層均是進(jìn)行氧化處理后的氧化層。
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