[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810730766.3
• 申請(qǐng)日: 2018-07-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109037234B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張偉彬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280
• 代理人: 鐘子敏

本發(fā)明提供了一種陣列基板及其制備方法。通過(guò)這種陣列基板，本發(fā)明相比于現(xiàn)有技術(shù)中，先通過(guò)形成與有源層的另一端接觸的漏極圖案層，再形成與漏極圖案層接觸的像素電極層，以實(shí)現(xiàn)像素電極層與有源層的另一端導(dǎo)通的情況，本實(shí)施例中直接形成與有源層的另一端接觸的像素電極層，也即相當(dāng)于將現(xiàn)有技術(shù)中的漏極圖案層及像素電極層一次制備而成，避免了現(xiàn)有技術(shù)中漏極圖案層與像素電極層之間接觸而產(chǎn)生的接觸電阻，提高導(dǎo)電性，且省去了為了增加漏極圖案層與像素電極層的接觸良好性而實(shí)行的退火工藝，簡(jiǎn)化了工藝步驟。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種陣列基板及其制備方法。

背景技術(shù)

在OLED顯示面板中，像素電極層與漏極接觸，漏極再與有源層接觸，從而實(shí)現(xiàn)像素電極層與有源層的導(dǎo)通，但是像素電極層與漏極接觸會(huì)存在接觸電阻，從而降低像素電極層與漏極之間的導(dǎo)通性，且為了增加像素電極層與漏極之間的接觸良好性，需要對(duì)像素電極層及漏極進(jìn)行退火處理，工藝復(fù)雜。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明主要是提供一種陣列基板及其制備方法，旨在解決像素電極層與漏極之間的接觸電阻降低導(dǎo)通性的問(wèn)題。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種陣列基板，所述陣列基板包括：襯底基板及形成于所述襯底基板上的緩沖層；形成于所述緩沖層上的有源層；覆蓋所述有源層的介電層，所述介電層設(shè)有分別連通所述有源層的一端與另一端的第一過(guò)孔及第二過(guò)孔；形成于所述介電層上的源極圖案層，所述源極圖案層通過(guò)所述第一過(guò)孔與所述有源層的一端接觸；覆蓋所述源極圖案層的平坦層，所述平坦層設(shè)有連通所述第二過(guò)孔的第三過(guò)孔；形成于所述平坦層上的像素電極層，所述像素電極層通過(guò)所述第二過(guò)孔及第三過(guò)孔與所述有源層的另一端接觸。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的另一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種陣列基板的制備方法，所述方法包括：提供一襯底基板并在所述襯底基板上形成緩沖層；在所述緩沖層上形成有源層；形成覆蓋所述有源層的介電層，所述介電層設(shè)有分別連通所述有源層的一端與另一端的第一過(guò)孔及第二過(guò)孔；在所述介電層上形成源極圖案層，所述源極圖案層通過(guò)所述第一過(guò)孔與所述有源層的一端接觸；形成覆蓋所述源極圖案層的平坦層，所述平坦層設(shè)有連通所述第二過(guò)孔的第三過(guò)孔；在所述平坦層上形成像素電極層，所述像素電極層通過(guò)所述第二過(guò)孔及第三過(guò)孔與所述有源層的另一端接觸。

本發(fā)明的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明提供的陣列基板，使得形成在平坦層上的像素電極層通過(guò)第二過(guò)孔與第三過(guò)孔與有源層的另一端接觸，相比于現(xiàn)有技術(shù)中，先通過(guò)形成與有源層的另一端接觸的漏極圖案層，再形成與漏極圖案層接觸的像素電極層，以實(shí)現(xiàn)像素電極層與有源層的另一端導(dǎo)通的情況，本實(shí)施例中直接形成與有源層的另一端接觸的像素電極層，也即相當(dāng)于將現(xiàn)有技術(shù)中的漏極圖案層及像素電極層一次制備而成，避免了現(xiàn)有技術(shù)中漏極圖案層與像素電極層之間接觸而產(chǎn)生的接觸電阻，提高導(dǎo)電性，且省去了為了增加漏極圖案層與像素電極層的接觸良好性而實(shí)行的退火工藝，簡(jiǎn)化了工藝步驟。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖，其中：

圖1是本發(fā)明提供的陣列基板第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是圖1中緩沖層與襯底基板的另一層疊結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是圖1中第一柵極圖案層及第一柵極絕緣層的另一位置示意圖；

圖4是圖1中介電層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是圖1中介電層的另一結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是圖1中源極圖案層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7是圖1中平坦層的結(jié)構(gòu)示意圖；