[發(fā)明專(zhuān)利]一種陣列基板及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810730766.3
• 申請(qǐng)日: 2018-07-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109037234B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張偉彬
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/12
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280
• 代理人: 鐘子敏

1.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括：

襯底基板及形成于所述襯底基板上的緩沖層；

形成于所述緩沖層上的有源層；

覆蓋所述有源層的介電層，所述介電層設(shè)有分別連通所述有源層的一端與另一端的第一過(guò)孔及第二過(guò)孔；

形成于所述介電層上的源極圖案層，所述源極圖案層通過(guò)所述第一過(guò)孔與所述有源層的一端接觸；

覆蓋所述源極圖案層的平坦層，所述平坦層設(shè)有連通所述第二過(guò)孔的第三過(guò)孔；

形成于所述平坦層上的像素電極層，所述像素電極層通過(guò)所述第二過(guò)孔及第三過(guò)孔與所述有源層的另一端接觸；

所述像素電極層包括在遠(yuǎn)離所述有源層的方向上依次層疊的第二半導(dǎo)體層、反射層及透光層，所述第二半導(dǎo)體層與所述有源層的另一端接觸，其中所述像素電極層一次制備而成；

所述反射層為銀反射層，所述透光層為ITO層，其中，所述透光層通過(guò)分子束外延工藝在所述反射層上形成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述源極圖案層包括在遠(yuǎn)離所述有源層的方向上依次層疊的第一半導(dǎo)體層及導(dǎo)體層，所述第一半導(dǎo)體層與所述有源層的一端接觸。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體層為摻雜半導(dǎo)體層，所述摻雜半導(dǎo)體層具有導(dǎo)體特性。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第二半導(dǎo)體層為摻雜半導(dǎo)體層，所述摻雜半導(dǎo)體層具有導(dǎo)體特性。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述緩沖層上形成有覆蓋所述有源層的第一柵極絕緣層，所述第一柵極絕緣層上形成有第一柵極圖案層，所述介電層形成于所述第一柵極絕緣層上，且覆蓋所述第一柵極圖案層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述第一柵極絕緣層上形成有覆蓋所述第一柵極圖案層的第二柵極絕緣層，所述第二柵極絕緣層上形成有第二柵極圖案層，所述介電層形成于所述第二柵極絕緣層上，且覆蓋所述第二柵極圖案層。

7.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一襯底基板并在所述襯底基板上形成緩沖層；

在所述緩沖層上形成有源層；

形成覆蓋所述有源層的介電層，所述介電層設(shè)有分別連通所述有源層的一端與另一端的第一過(guò)孔及第二過(guò)孔；

在所述介電層上形成源極圖案層，所述源極圖案層通過(guò)所述第一過(guò)孔與所述有源層的一端接觸；

形成覆蓋所述源極圖案層的平坦層，所述平坦層設(shè)有連通所述第二過(guò)孔的第三過(guò)孔；

在所述平坦層上形成像素電極層，所述像素電極層通過(guò)所述第二過(guò)孔及第三過(guò)孔與所述有源層的另一端接觸；

所述在所述平坦層上形成像素電極層的步驟包括：

在遠(yuǎn)離所述有源層的方向上依次形成第二半導(dǎo)體層及銀反射層，所述第二半導(dǎo)體層與所述有源層的另一端接觸；

通過(guò)分子束外延工藝在所述反射層上形成ITO透光層，其中，所述像素電極層一次制備而成。