[發明專利]一種發光二極管及其制備方法

有效

• 申請號: 201810730358.8
• 申請日: 2018-07-05
• 公開（公告）號: CN108899404B
• 公開（公告）日: 2019-12-03
• 發明（設計）人: 趙炆兼;賈釗;曹廣亮;郭冠軍;馬祥柱
• 申請（專利權）人: 揚州乾照光電有限公司
• 主分類號: H01L33/10
• 分類號: H01L33/10;H01L33/44;H01L33/46;H01L33/36
• 代理公司: 11227 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 駱宗力;王寶筠<國際申請>=<國際公布>

本申請公開了一種發光二極管及其制備方法，其中，發光二極管的鏡面反射層背離第一襯底一側依次設置有第一電感層、第二電感層和第三電感層；其中，第三電感層中的多個第三電極結構與第二電感層中的多個第二電極結構構成縱向電感；而外延層、多個第三電極結構、多個第二電極結構和第一電感層中的多個第一電極結構構成了橫向電感，這樣使得發光二極管內部垂直方向上有兩圈以上的電感存在，并且在發光二極管內部的橫向也存在多層電感環繞，這樣使得發光二極管在任意方向上的抗靜電擊穿能力大大加強。并且發光二極管在大電流下垂直方向上的電感能夠起到分流作用，電流不再集中在絕緣層的孔洞內，從而使得發光二極管具有更好的抗漏電效果。

技術領域

本申請涉及半導體技術領域，更具體地說，涉及一種發光二極管及其制備方法。

背景技術

發光二極管(Light Emitting Diode，LED)，也稱為電致發光二極管，是LED燈的核心組件。隨著發光二極管技術的快速發展，發光二極管在各領域中的應用越來越廣泛。

對于四元系倒裝芯片而言，其結構參考圖1，具體包括第一電極、外延層、Gap層、介質膜、介質孔、鏡面反射層、鍵合層、硅襯底和第二電極；其制備時通常通過在一塊轉移襯底上進行外延層、Gap層、介質膜、介質孔和鏡面反射層的制備，然后通過分別設置在鏡面反射層和硅襯底上的鍵合金屬層實現與硅襯底的鍵合，形成鍵合層；最后去除轉移襯底并進行第一電極和第二電極的制備。在圖1所示的芯片結構中，設置鏡面反射層的目的是對外延層出射的光線的反射，提升發光二極管的出光效率；而設置介質膜的目的是提升鏡面反射層對光線的反射效果并且起到對電流擴展的效果，而介質膜中的介質孔的作用是實現外延層與鏡面反射層的電連接。

但是在圖1所示的芯片結構中，由于發光二極管中的電流方向垂直向下，方向單一并且集中在介質孔周圍，容易導致發光二極管中某些點的電流密度過大而導致漏電或靜電保護失效的現象。

發明內容

為解決上述技術問題，本申請提供了一種發光二極管及其制備方法，以解決由于發光二極管中某些點的電流密度過大而導致的漏電或靜電保護失效的問題。

為解決上述技術問題，本申請實施例提供了如下技術方案：

一種發光二極管，包括：

第一襯底；

位于所述第一襯底上依次設置的鍵合金屬層和鏡面反射層；

位于所述鏡面反射層背離所述第一襯底一側依次層疊設置的第一電感層和第二電感層；所述第一電感層包括第一絕緣層和多個第一電極結構，所述第一絕緣層包括多個第一孔洞，所述第一電極結構設置于所述第一孔洞中，且與所述鏡面反射層電連接；所述第二電感層包括第二絕緣層和多個第二電極結構，所述第二絕緣層包括多個第二孔洞，所述第二電極結構設置于所述第二孔洞中，且與所述第一電極結構電連接，多個所述第二孔洞在所述第一襯底上的正投影與多個所述第一孔洞在所述第一襯底上的正投影至少部分重疊；

位于所述第二電感層背離所述第一襯底一側的第三電感層，所述第三電感層包括第三絕緣層和多個第三電極結構，所述第三絕緣層包括多個第三孔洞，所述第三電極結構設置于所述第三孔洞中，且與所述第二電極結構電連接，多個所述第三孔洞在所述第一襯底上的正投影與多個所述第二孔洞在所述第一襯底上的正投影至少部分重疊；

位于所述第三電感層背離所述第一襯底一側依次層疊設置的外延結構層和第一電極。

可選的，所述外延結構層背離所述第一襯底一側的裸露表面為粗糙表面。

可選的，所述第三電極結構為ITO結構。

可選的，所述第一絕緣層為氮化硅層或二氧化硅層或碳化硅層；

所述第二絕緣層為氮化硅層或二氧化硅層或碳化硅層；

所述第三絕緣層為氮化硅層或二氧化硅層或碳化硅層。