[發明專利]一種發光二極管及其制備方法

有效

• 申請號: 201810730358.8
• 申請日: 2018-07-05
• 公開（公告）號: CN108899404B
• 公開（公告）日: 2019-12-03
• 發明（設計）人: 趙炆兼;賈釗;曹廣亮;郭冠軍;馬祥柱
• 申請（專利權）人: 揚州乾照光電有限公司
• 主分類號: H01L33/10
• 分類號: H01L33/10;H01L33/44;H01L33/46;H01L33/36
• 代理公司: 11227 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 駱宗力;王寶筠<國際申請>=<國際公布>

1.一種發光二極管，其特征在于，包括：

第一襯底；

位于所述第一襯底上依次設置的鍵合金屬層和鏡面反射層；

位于所述鏡面反射層背離所述第一襯底一側依次層疊設置的第一電感層和第二電感層；所述第一電感層包括第一絕緣層和多個第一電極結構，所述第一絕緣層包括多個第一孔洞，所述第一電極結構設置于所述第一孔洞中，且與所述鏡面反射層電連接；所述第二電感層包括第二絕緣層和多個第二電極結構，所述第二絕緣層包括多個第二孔洞，所述第二電極結構設置于所述第二孔洞中，且與所述第一電極結構電連接，多個所述第二孔洞在所述第一襯底上的正投影與多個所述第一孔洞在所述第一襯底上的正投影至少部分重疊；

位于所述第二電感層背離所述第一襯底一側的第三電感層，所述第三電感層包括第三絕緣層和多個第三電極結構，所述第三絕緣層包括多個第三孔洞，所述第三電極結構設置于所述第三孔洞中，且與所述第二電極結構電連接，多個所述第三孔洞在所述第一襯底上的正投影與多個所述第二孔洞在所述第一襯底上的正投影至少部分重疊；所述第一孔洞、第二孔洞和第三孔洞在所述第一襯底上的正投影并不完全重疊；

位于所述第三電感層背離所述第一襯底一側依次層疊設置的外延結構層和第一電極。

2.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述外延結構層背離所述第一襯底一側的裸露表面為粗糙表面。

3.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述第三電極結構為ITO結構。

4.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述第一絕緣層為氮化硅層或二氧化硅層或碳化硅層；

所述第二絕緣層為氮化硅層或二氧化硅層或碳化硅層；

所述第三絕緣層為氮化硅層或二氧化硅層或碳化硅層。

5.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述外延結構層包括：

位于所述第三電感層背離所述第一襯底表面依次層疊設置的第一型緩沖層、腐蝕截止層、歐姆接觸層、DBR層、第一型粗化層、第一型電流擴展層、第一型限制層、量子阱層、第二型限制層和第二型擴展歐姆層。

6.一種發光二極管的制備方法，其特征在于，包括：

提供第二襯底，所述第二襯底表面設置有外延結構層；

在所述外延結構層背離所述第二襯底表面形成導電層，并對所述導電層進行圖案化處理，以形成多個第三電極結構；

在相鄰所述第三電極結構之間形成第三絕緣層，并覆蓋所述第三電極結構形成第二絕緣層；

對所述第二絕緣層進行圖案化，以在所述第二絕緣層中形成多個第二孔洞，所述第二孔洞至少部分暴露出所述第三電極結構；

在所述第二孔洞中形成第二電極結構，所述第二電極結構與所述第三電極結構電連接；

覆蓋所述第二電極結構形成第一絕緣層，并對所述第一絕緣層進行圖案化，以在所述第一絕緣層中形成多個第一孔洞；

在所述第一孔洞中形成第一電極結構，所述第一電極結構與所述第二電極結構電連接；

覆蓋所述第一電極結構形成第一鍵合層；

在第一襯底上形成第二鍵合層；

通過所述第一鍵合層和第二鍵合層連接所述第一襯底與所述第二襯底；

去除所述第二襯底，并在所述外延結構層背離所述第一襯底一側形成第一電極，多個所述第二孔洞在所述第一襯底上的正投影與多個所述第一孔洞在所述第一襯底上的正投影至少部分重疊，且所述第一孔洞和第二孔洞在所述第一襯底上的正投影并不完全重疊。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述去除所述第二襯底，并在所述外延結構層背離所述第一襯底一側形成第一電極之后還包括：

對所述外延結構層背離所述第一襯底一側的裸露表面進行粗化處理，以在所述外延結構背離所述第一襯底一側表面形成粗糙表面。

8.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述外延結構層背離所述第二襯底表面形成導電層，并對所述導電層進行圖案化處理，以形成多個第三電極結構包括：

在所述外延結構層背離所述第二襯底一側表面形成ITO薄膜層；

對所述ITO薄膜層進行刻蝕，以形成多個第三電極結構。