[發(fā)明專利]一種薄膜晶體管及其制作方法

有效

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• 申請日: 2018-07-05
• 公開（公告）號: CN108933179B
• 公開（公告）日: 2020-06-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 謝華飛;陳書志
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336;H01L21/34;H01L51/40;H01L51/05
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

本發(fā)明提供一種薄膜晶體管及其制作方法，該制作方法包括：在基板上依次形成柵極、柵極絕緣層、源極和漏極；在所述源極、所述漏極和所述柵極絕緣層上形成平坦層，并對所述平坦層進(jìn)行圖案化處理，以形成第一部分、第二部分和第三部分；所述第一部分位于所述源極和所述漏極之間、所述第二部分位于所述源極的一側(cè)以及所述第三部分位于所述漏極的一側(cè)，所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分的上表面都與所述源極和所述漏極的頂部齊平；在所述平坦層及所述源極和所述漏極上形成有源層，所述有源層用于形成溝道；在所述溝道、所述第二部分和第三部分上形成鈍化層。本發(fā)明的薄膜晶體管及其制作方法，能夠提高薄膜晶體管的性能。

【技術(shù)領(lǐng)域】

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種薄膜晶體管及其制作方法。

【背景技術(shù)】

現(xiàn)有的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)包括基板、第一金屬層(形成柵極)、絕緣層、有源層、第二金屬層(形成源漏極)等。也即現(xiàn)有的薄膜晶體管，在制備完有源層后才進(jìn)行第二金屬層的沉積。有源層的材料通常為石墨烯、碳納米管、碳化硅、二硫化鉬、有機(jī)化合物等在內(nèi)的新型半導(dǎo)體材料。

但是由于第二金屬層的沉積過程通常是采用物理氣相沉積工藝，而物理氣相沉積工藝會(huì)對具有新型半導(dǎo)體材料造成損傷，且由于新型半導(dǎo)體材料對金屬及玻璃基板的粘附力有限，因而在制備上述新型半導(dǎo)體材料的晶體管時(shí)，降低了薄膜晶體管的性能。

因此，有必要提供一種薄膜晶體管及其制作方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

本發(fā)明的目的在于提供一種薄膜晶體管及其制作方法，能夠提高薄膜晶體管的性能。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種薄膜晶體管的制作方法，其包括：

在基板上形成第一導(dǎo)電層，對所述第一導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化處理形成柵極；

在所述柵極和所述基板上形成柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層上形成第二導(dǎo)電層，對所述第二導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化處理形成源極和漏極；

在所述源極、所述漏極和所述柵極絕緣層上形成平坦層，并對所述平坦層進(jìn)行圖案化處理，以形成第一部分、第二部分和第三部分；所述第一部分位于所述源極和所述漏極之間、所述第二部分位于所述源極的一側(cè)以及所述第三部分位于所述漏極的一側(cè)，所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分的上表面都與所述源極和所述漏極的頂部齊平，以將部分所述源極和所述漏極裸露在外；

在所述平坦層及所述源極和所述漏極上形成有源層，所述有源層用于形成溝道；

在所述溝道、所述第二部分和所述第三部分上形成鈍化層。

在本發(fā)明的薄膜晶體管的制作方法中，所述平坦層的材料為具有感光性的絕緣樹脂材料。

在本發(fā)明的薄膜晶體管的制作方法中，所述對所述平坦層進(jìn)行圖案化處理，以形成第一部分、第二部分、第三部分的步驟包括：

通過等離子體處理法對所述平坦層進(jìn)行刻蝕，以形成第一部分、第二部分、第三部分。

在本發(fā)明的薄膜晶體管的制作方法中，所述在所述源極、所述漏極和柵極絕緣層上形成平坦層的步驟包括：

在所述源極、所述漏極和所述柵極絕緣層上涂布平坦層的材料；

對所述平坦層的材料進(jìn)行固化處理，以形成平坦層。

在本發(fā)明的薄膜晶體管的制作方法中，所述在所述溝道、所述第二部分和第三部分上形成鈍化層的步驟之后，所述方法還包括：

對所述鈍化層和所述平坦層的第三部分進(jìn)行圖案化處理，得到過孔；所述過孔貫穿所述鈍化層和所述第三部分。

在本發(fā)明的薄膜晶體管的制作方法中，所述溝道位于所述第一部分、所述源極以及所述漏極上。