[發(fā)明專利]一種薄膜晶體管及其制作方法

有效

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• 申請日: 2018-07-05
• 公開（公告）號: CN108933179B
• 公開（公告）日: 2020-06-16
• 發(fā)明（設計）人: 謝華飛;陳書志
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336;H01L21/34;H01L51/40;H01L51/05
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產(chǎn)權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上形成第一導電層，對所述第一導電層進行圖案化處理形成柵極；

在所述柵極和所述基板上形成柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層上形成第二導電層，對所述第二導電層進行圖案化處理形成源極和漏極；

在所述源極、所述漏極和所述柵極絕緣層上形成平坦層，并對所述平坦層進行圖案化處理，以形成第一部分、第二部分和第三部分；所述第一部分位于所述源極和所述漏極之間、所述第二部分位于所述源極的一側(cè)以及所述第三部分位于所述漏極的一側(cè)，所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分的上表面都與所述源極和所述漏極的頂部齊平，以將部分所述源極和所述漏極裸露在外；

在所述第一部分、所述第二部分、所述第三部分、所述源極以及所述漏極上形成有源層，所述有源層用于形成溝道；

在所述溝道、所述第二部分和所述第三部分上形成鈍化層。

2.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，

所述平坦層的材料為具有感光性的絕緣樹脂材料。

3.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述對所述平坦層進行圖案化處理，以形成第一部分、第二部分、第三部分的步驟包括：

通過等離子體處理法對所述平坦層進行刻蝕，以形成第一部分、第二部分、第三部分。

4.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述在所述源極、所述漏極和柵極絕緣層上形成平坦層的步驟包括：

在所述源極、所述漏極和所述柵極絕緣層上涂布平坦層的材料；

對所述平坦層的材料進行固化處理，以形成平坦層。

5.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述在所述溝道、所述第二部分和第三部分上形成鈍化層的步驟之后，所述方法還包括：

對所述鈍化層和所述平坦層的第三部分進行圖案化處理，得到過孔；所述過孔貫穿所述鈍化層和所述第三部分。

6.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述溝道位于所述第一部分、所述源極以及所述漏極上。

7.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述有源層的材料包括石墨烯、碳化硅、二硫化鉬、有機半導體以及碳納米管中的至少一種。

8.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述鈍化層的材料包括有機絕緣材料、SiNx、SiO₂、HfO₂以及Al₂O₃中的至少一種。

9.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：

設于基板上的柵極；

設于所述柵極和所述基板上的柵極絕緣層；

設于所述柵極絕緣層上的源極和漏極；

設于所述源極、漏極和柵極絕緣層之上的平坦層，所述平坦層包括設置在源極和漏極之間的第一部分、設置在所述源極的一側(cè)的第二部分以及設置在所述漏極的一側(cè)的第三部分；所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分的上表面與所述源極和所述漏極的頂部齊平，以將部分所述源極和所述漏極裸露在外；

設于所述第一部分、所述第二部分、所述第三部分、所述源極以及所述漏極上的有源層，所述有源層用于形成溝道；

設于所述溝道、所述第二部分和所述第三部分上的鈍化層。

10.根據(jù)權利要求9所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述平坦層的材料為具有感光性的絕緣樹脂材料。