[發(fā)明專利]半導體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810725247.8
• 申請日: 2018-07-04
• 公開（公告）號: CN109273448B
• 公開（公告）日: 2023-08-22
• 發(fā)明（設計）人: 辛承俊;樸玄睦;申重植
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H10B41/30
• 分類號: H10B41/30;H10B41/27;H10B43/30;H10B43/27
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 李娜

1.一種半導體器件，所述半導體器件包括：

柵電極，所述柵電極沿著垂直于襯底的上表面的方向堆疊，所述柵電極在與所述襯底的上表面平行的第一方向上延伸到不同的長度，每個柵電極包括：子柵電極，所述子柵電極在垂直于所述第一方向且與所述襯底的上表面平行的第二方向上彼此隔開；以及柵極連接部，所述柵極連接部將所述柵電極中的同一柵電極的子柵電極彼此連接；

通道，所述通道垂直于所述襯底的上表面延伸穿過所述柵電極；和

虛設通道，所述虛設通道垂直于所述襯底的上表面延伸穿過所述柵電極，所述虛設通道包括以行和列布置的第一虛設通道以及在包括所述柵極連接部的區(qū)域中布置在所述第一虛設通道之間的第二虛設通道，所述行在所述第一方向上延伸，并且所述列在所述第二方向上延伸，所述第二虛設通道布置在沿著所述第一方向彼此相鄰的兩列的所述第一虛設通道之間。

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第二虛設通道以與所述第一虛設通道不同的圖案布置，并且所述第二虛設通道中的至少一個第二虛設通道穿過所述柵極連接部。

3.根據(jù)權利要求2所述的半導體器件，其中，多個所述第二虛設通道穿過單個柵極連接部。

4.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第二虛設通道中的至少一些第二虛設通道在所述第二方向上位于所述柵極連接部的至少一側。

5.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中，所述柵極連接部與所述第二虛設通道中的與所述柵極連接部最相鄰的第二虛設通道之間的距離，小于所述柵極連接部與所述第一虛設通道中的與所述柵極連接部最相鄰的第一虛設通道之間的距離。

6.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中：

所述柵電極分別包括位于其邊緣處的接觸區(qū)域，所述柵電極中的下柵電極在所述第一方向上比所述柵電極中的上柵電極延伸更遠，

所述第一虛設通道位于所述接觸區(qū)域的邊界處，

所述第二虛設通道位于所述接觸區(qū)域中。

7.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中，所述襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述通道設置在所述第一區(qū)域中，所述柵電極在所述第二區(qū)域中延伸至不同的長度，并且所述柵極連接部和所述第二虛設通道設置在所述第二區(qū)域中。

8.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中：

所述柵電極分別包括位于其邊緣處的接觸區(qū)域，所述柵電極中的下柵電極在所述第一方向上比所述柵電極中的上柵電極延伸更遠，

所述半導體器件還包括通過所述接觸區(qū)域連接到所述柵電極的接觸插塞。

9.根據(jù)權利要求8所述的半導體器件，其中，包括所述柵極連接部的接觸區(qū)域中的接觸插塞的數(shù)量少于不包括所述柵極連接部的接觸區(qū)域中的接觸插塞的數(shù)量。

10.根據(jù)權利要求8所述的半導體器件，其中，在包括所述柵極連接部的接觸區(qū)域中，所述接觸插塞在遠離所述第二虛設通道的方向上偏移。

11.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中，所述柵電極中的一些柵電極均包括多個柵極連接部。

12.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中，所述柵電極中的最下面的柵電極通過設置在所述柵極連接部下方的下隔離區(qū)域被分成所述子柵電極。

13.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中，堆疊的所述柵電極中的最上部的一個或更多個柵電極通過上隔離區(qū)域被分成所述子柵電極。

14.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中，所述柵電極提供接觸區(qū)域，所述接觸區(qū)域延伸不同的長度以在所述第一方向上且在所述第二方向上具有臺階部。