[發明專利]配置成保護光掩模的表膜、包括該表膜的掩模版、和制造該表膜的方法

在審

• 申請號: 201810722896.2
• 申請日: 2018-07-04
• 公開（公告）號: CN109324474A
• 公開（公告）日: 2019-02-12
• 發明（設計）人: 李珉賢;申鉉振;鄭盛駿;樸晟準
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G03F1/62
• 分類號: G03F1/62;G03F7/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 金擬粲

公開配置成保護光掩模的表膜、包括該表膜的掩模版、和制造該表膜的方法。所述表膜配置成保護光掩模免受外部污染物并且可包括金屬催化劑層和在所述金屬催化劑層上的包括2D材料的表膜膜片，其中所述金屬催化劑層支撐所述表膜膜片的邊緣區域且不支撐所述表膜膜片的中央區域。所述金屬催化劑層可在基底上，使得所述基底和所述金屬催化劑層共同支撐所述表膜膜片的邊緣區域且不支撐所述表膜膜片的中央區域。所述表膜可基于如下形成：在所述金屬催化劑層生長所述2D材料和蝕刻支撐所形成的表膜膜片的中央區域的所述金屬催化劑層的內部區域。

對相關申請的交叉引用

本申請要求在韓國知識產權局分別于2017年7月31日和2018年6月8日提交的韓國專利申請No.10-2017-0097125以及10-2018-0065906的權益，將其公開內容全部引入本文中作為參考。

技術領域

本公開內容涉及配置成保護光掩模的表膜(pellicle)、包括該表膜的掩模版(reticle)、和制造該配置成保護光掩模的表膜的方法。

背景技術

表膜可提供在光掩模上以在光刻過程中保護光掩模免受外部污染物(例如，灰塵、光刻膠等)。表膜應對于在光刻過程中使用的光具有高的透射率，而且滿足多種條件例如熱耗散特性、強度、均勻性、耐久性、穩定性等。隨著半導體設備/電子電路的線寬減小，在光刻過程中使用的光的波長可減小以匹配減小的線寬。

發明內容

一些實例實施方式包括對于在光刻過程中使用的光源而言合適的表膜。

一些實例實施方式包括配置成保護光掩模免受外部污染物的表膜、包括該表膜的掩模版、和制造所述用于光掩模的表膜的方法。

另外的方面將部分地在隨后的描述中闡明，并且部分地將從所述描述明晰，或者可通過所呈現的實施方式的實踐而獲知。

根據一些實例實施方式，配置成保護光掩模的表膜可包括：金屬催化劑層、和在金屬催化劑層上的表膜膜片。表膜膜片可包括二維(2D)材料。表膜膜片可具有中央區域和邊緣區域，邊緣區域至少部分地圍繞中央區域。金屬催化劑層可支撐(支持)表膜膜片的邊緣區域且可不支撐表膜膜片的中央區域。

表膜可進一步包括基底，金屬催化劑層在基底上，其中基底和金屬催化劑層可共同支撐表膜膜片的邊緣區域且不支撐表膜膜片的中央區域。

表膜可進一步包括在基底和金屬催化劑層之間的阻擋層，基底、阻擋層和金屬催化劑層可共同支撐表膜膜片的邊緣區域且可不支撐表膜膜片的中央區域。

金屬催化劑層可具有在約1nm-約100μm范圍內的厚度。

金屬催化劑層可具有在約10nm-約10μm范圍內的厚度。

阻擋層可包括SiO₂、Si₃N₄、TiN和TaN的至少一種。

2D材料可包括h-BN、Si、P、B、和石墨烯的至少一種。

表膜膜片可具有在約5nm-約50nm范圍內的厚度。

金屬催化劑層可包括Pt、Cu、Ni、Co、Ag、W、Mo、Pd、和Ru的至少一種。

表膜膜片可具有大于或等于約80％的光學透射率。

金屬催化劑層的高度與基底的高度之和可在1mm-10mm的范圍內。

用于光掩模的表膜可進一步包括在表膜膜片的至少一個表面上的保護膜。例如，所述保護膜可在表膜膜片的與其鄰近于金屬催化劑層的表面相反的表面上形成。

保護膜可包括基于碳的材料、過渡金屬二硫屬化物(TMD)、Ru、Mo、Si、Zr、B、和SiN的至少一種。