[發明專利]配置成保護光掩模的表膜、包括該表膜的掩模版、和制造該表膜的方法

在審

• 申請號: 201810722896.2
• 申請日: 2018-07-04
• 公開（公告）號: CN109324474A
• 公開（公告）日: 2019-02-12
• 發明（設計）人: 李珉賢;申鉉振;鄭盛駿;樸晟準
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G03F1/62
• 分類號: G03F1/62;G03F7/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 金擬粲

1.配置成保護光掩模的表膜，所述表膜包括：

金屬催化劑層；和

在所述金屬催化劑層上的表膜膜片，所述表膜膜片包括二維(2D)材料，所述表膜膜片具有中央區域和邊緣區域，所述邊緣區域至少部分地圍繞所述中央區域，

其中所述金屬催化劑層支撐所述表膜膜片的邊緣區域且不支撐所述表膜膜片的中央區域。

2.如權利要求1所述的表膜，進一步包括：

基底，所述金屬催化劑層在所述基底上，

其中所述基底和所述金屬催化劑層共同支撐所述表膜膜片的邊緣區域且不支撐所述表膜膜片的中央區域。

3.如權利要求2所述的表膜，進一步包括：

在所述基底和所述金屬催化劑層之間的阻擋層，

其中所述基底、所述阻擋層和所述金屬催化劑層共同支撐所述表膜膜片的邊緣區域且不支撐所述表膜膜片的中央區域。

4.如權利要求1-3任一項所述的表膜，其中所述金屬催化劑層具有在1nm-100μm范圍內的厚度。

5.如權利要求1-3任一項所述的表膜，其中所述金屬催化劑層具有在10nm-10μm范圍內的厚度。

6.如權利要求3所述的表膜，其中所述阻擋層包括SiO₂、Si₃N₄、TiN和TaN的至少一種。

7.如權利要求1-3任一項所述的表膜，其中所述二維材料包括h-BN、Si、P、B、和石墨烯的至少一種。

8.如權利要求1-3任一項所述的表膜，其中所述表膜膜片具有在5nm-50nm范圍內的厚度。

9.如權利要求1-3任一項所述的表膜，其中所述金屬催化劑層包括Pt、Cu、Ni、Co、Ag、W、Mo、Pd、和Ru的至少一種。

10.如權利要求1-3任一項所述的表膜，其中所述表膜膜片具有大于或等于80％的光學透射率。

11.如權利要求2所述的表膜，其中所述金屬催化劑層的高度與所述基底的高度之和在1mm-10mm的范圍內。

12.如權利要求1-3任一項所述的表膜，進一步包括：

在所述表膜膜片的至少一個表面上的保護膜。

13.如權利要求12所述的表膜，其中所述保護膜包括基于碳的材料、過渡金屬二硫屬化物(TMD)、Ru、Mo、Si、Zr、B、和SiN的至少一種。

14.制造如權利要求1-13任一項所述的配置成保護光掩模的表膜的方法，所述方法包括：

在金屬催化劑層上形成表膜膜片，所述表膜膜片包括二維(2D)材料，所述表膜膜片包括中央區域和邊緣區域，所述邊緣區域至少部分地圍繞所述中央區域；和

蝕刻支撐所述表膜膜片的中央區域的所述金屬催化劑層的至少內部區域，使得所述金屬催化劑層支撐所述表膜膜片的邊緣區域且不支撐所述表膜膜片的中央區域。

15.如權利要求14所述的方法，進一步包括：

在基底上形成所述金屬催化劑層，

其中所述蝕刻將支撐所述表膜膜片的中央區域的所述基底和所述金屬催化劑層的內部區域蝕刻，使得所述基底和所述金屬催化劑層共同支撐所述表膜膜片的邊緣區域且不支撐所述表膜膜片的中央區域。