[發明專利]一種去除陽極氧化制備SiC納米結構中帽層的方法有效
| 申請號： | 201810720477.5 | 申請日： | 2018-07-03 |
| 公開（公告）號： | CN108930057B | 公開（公告）日： | 2019-07-12 |
| 發明（設計）人： | 陳善亮;李維俊;劉喬;楊為佑 | 申請（專利權）人： | 寧波工程學院 |
| 主分類號： | C25F3/12 | 分類號： | C25F3/12;C25D11/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 寧波市鄞州盛飛專利代理事務所(特殊普通合伙) 33243 | 代理人： | 洪珊珊 |
| 地址： | 315000 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 帽層 去除 納米結構 陽極氧化法制 陽極氧化 材料技術領域 形貌 刻蝕液刻蝕 陽極 頂部表面 納米材料 自動脫落 開放度 預刻蝕 可控 刻蝕 制備 還原 飽和 | ||
【權利要求書】：
1.一種去除陽極氧化制備SiC納米結構中帽層的方法，其特征在于，所述的方法包括在以SiC晶片為陽極在刻蝕液刻蝕前先用NH4HF2溶液進行預刻蝕；
刻蝕液刻蝕與預刻蝕時以相同的脈沖電源進行刻蝕；
脈沖電源占空比為50％，頻率1-1.5KHz，脈沖電源以恒定的電流密度120-200mA cm-2進行刻蝕。
2.根據權利要求1所述的去除陽極氧化制備SiC納米結構中帽層的方法，其特征在于，所述的NH4HF2溶液為飽和NH4HF2溶液。
3.根據權利要求1所述的去除陽極氧化制備SiC納米結構中帽層的方法，其特征在于，預刻蝕的時間為40-100s。
4.根據權利要求1所述的去除陽極氧化制備SiC納米結構中帽層的方法，其特征在于，刻蝕液刻蝕的時間為2-8min。
5.根據權利要求1所述的去除陽極氧化制備SiC納米結構中帽層的方法，其特征在于，所述的刻蝕液為氫氟酸、乙醇、雙氧水的混合液，氫氟酸、乙醇、雙氧水三者的體積比為(2-8)：6：1。
6.根據權利要求1所述的去除陽極氧化制備SiC納米結構中帽層的方法，其特征在于，制得的SiC納米結構為SiC納米孔結構。
7.根據權利要求6所述的去除陽極氧化制備SiC納米結構中帽層的方法，其特征在于，SiC納米孔結構為孔完全開放結構。
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