[發明專利]一種PD設備的防浪涌電路

在審

• 申請號: 201810717508.1
• 申請日: 2018-07-03
• 公開（公告）號: CN108683167A
• 公開（公告）日: 2018-10-19
• 發明（設計）人: 鞏令風;譚在超;丁國華;羅寅;張勝
• 申請（專利權）人: 蘇州鍇威特半導體有限公司
• 主分類號: H02H9/02
• 分類號: H02H9/02
• 代理公司: 南京眾聯專利代理有限公司 32206
• 代理人: 呂書桁

1.一種PD設備的防浪涌電路，其特征在于：包括設置在協議芯片內部的高增益運算放大器、第一MOS管、運算放大器、第一電流源、分壓電阻、熔絲修調電路、采樣電阻、第二MOS管、電源地GND和數字地VSS，電源VDD連接DC_DC模塊的輸入端，DC_DC模塊的接地端連接電源地GND，高增益運算放大器的正輸入端連接在第一電流源和熔絲修調電路之間，高增益運算放大器的負輸入端連接運算放大器的輸出端，高增益運算放大器的輸出端連接第一MOS管的柵極，第一MOS管的漏極連接電源地GND，第一MOS管的源極連接運算放大器的正輸入端，運算放大器的負輸入端連接數字地VSS，采樣電阻接入運算放大器的正輸入端和數字地VSS之間，分壓電阻的一端連接熔絲修調電路，分壓電阻的另一端連接數字地VSS，第二MOS管的漏極連接第一MOS管的柵極，第二MOS管的柵極連接協議芯片內的使能端EN，第二MOS管的源極連接數字地VSS。

2.如權利要求1所述的一種PD設備的防浪涌電路，其特征在于，所述高增益運算放大器采用單電源運放，其在靜態工作點的輸入共模電壓由第一電流源、熔絲修調電路和分壓電阻決定。

3.如權利要求2所述的一種PD設備的防浪涌電路，其特征在于，所述高增益運算放大器采用共源共柵折疊式運放結構，具體包括第二電流源、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管，所述第三MOS管和第四MOS管的源極共接，第二電流源連接第三MOS管的源極，第三MOS管和第四MOS管的柵極分別引出作為高增益運算放大器的負輸入端和正輸入端，第三MOS管的漏極連接第五MOS管的源極，第四MOS管的漏極連接第六MOS管的源極，第五MOS管和第六MOS管的柵極共連并引出作為偏置電壓端，第七MOS管的漏極連接第五MOS管的源極，第七MOS管的源極接地，第八MOS管的漏極連接第六MOS管的源極，第八MOS管的源極接地，第七MOS管和第八MOS管的柵極共接并引出作為偏置電壓端，第九MOS管的漏極和柵極均連接第五MOS管的漏極，第十MOS管的漏極連接第六MOS管的漏極并引出作為高增益運算放大器的輸出端，第九MOS管和第十MOS管的柵極共連，第十一MOS管的漏極連接第九MOS管的源極，第十二MOS管的漏極連接第十MOS管的源極，第十一MOS管和第十二MOS管的柵極共連，第十一MOS管和第十二MOS管的源極連接電源。

4.如權利要求1所述的一種PD設備的防浪涌電路，其特征在于，所述第一MOS管和第二MOS管均為NMOS管。

5.如權利要求3或4所述的一種PD設備的防浪涌電路，其特征在于，所述第三MOS管、第四MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管均為PMOS管，所述第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管均為NMOS管。

6.如權利要求5所述的一種PD設備的防浪涌電路，其特征在于，所述第一MOS管的導通電阻阻值在1Ω以內，所述采樣電阻的阻值在50mΩ以內。

7.如權利要求6所述的一種PD設備的防浪涌電路，其特征在于，所述高增益運算放大器的輸出電壓為Vout2，第一MOS管的跨導為gm，則在GND-VSS之間產生的限制電流Ilim為I_lim＝V_out2*g_m。