[發明專利]具有帶有腔體的TIV的InFO-POP結構

有效

• 申請號: 201810717245.4
• 申請日: 2018-07-03
• 公開（公告）號: CN109585388B
• 公開（公告）日: 2020-09-25
• 發明（設計）人: 林俊成;余振華;蔡柏豪
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/535;H01L25/065;H01L21/56
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

一種形成封裝件的方法，包括：分布位于載體上方的犧牲區域；形成位于載體上方的金屬柱。金屬柱與犧牲區域的至少一部分重疊。該方法還包括：將金屬柱和犧牲區域包封在包封材料中；從載體上卸下金屬柱、犧牲區域和包封材料；以及去除犧牲區域的至少一部分，以形成從包封材料的表面水平延伸至包封材料內的凹槽。本發明實施例涉及具有帶有腔體的TIV的InFO?POP結構。

技術領域

本發明實施例涉及具有帶有腔體的TIV的InFO-POP結構。

背景技術

隨著半導體技術的發展，半導體芯片/管芯正變得越來越小。同時，更多功能需要集成在半導體管芯內。因此，半導體管芯需要將越來越多的I/O焊盤封裝在更小的區域內，并且因此I/O焊盤的密度隨著時間的推移快速提高。結果，半導體管芯的封裝變得更加困難，這會對封裝產量產生不利影響。

傳統的封裝技術可以劃分為兩類。在第一類中，晶圓上的管芯在它們被切割之前封裝。這種封裝技術具有一些有利的特征，諸如更高的生產量和更低的成本。此外，需要較少的底部填充物或模塑料。然而，這種封裝技術還具有缺陷。由于管芯的尺寸正變得越來越小，并且相應的封裝件僅可以是扇入型封裝件，其中，每個管芯的I/O焊盤限制于直接位于相應的管芯的表面上方的區域。由于管芯的面積有限，I/O焊盤的數量由于I/O焊盤的間距的限制而受到限制。如果焊盤的間距減小，可能會發生焊料橋接。此外，在固定的球尺寸需求下，焊球必須具有特定尺寸，這進而限制可以封裝在管芯表面上的焊球的數量。

在另一類封裝中，在封裝管芯之前從晶圓鋸切管芯。這種封裝技術的有利特征在于可能形成扇出封裝件，這意味著管芯上的I/O焊盤可以被重新分布至比管芯更大的區域，并且因此可以增加封裝在管芯表面上的I/O焊盤的數量。該封裝技術的另一有利特征是封裝“已知良好的管芯”，以及丟棄有缺陷的管芯，因此不在有缺陷的管芯上浪費成本和精力。

發明內容

根據本發明的一些實施例，提供了一種封裝件，包括：第一芯片；多個金屬柱，圍繞所述第一芯片，其中，所述多個金屬柱包括凹進的第一金屬柱；包封材料，圍繞所述第一芯片和所述多個金屬柱，其中，所述凹進的第一金屬柱的頂面包括低于所述包封材料的頂面水平的第一部分；重分布結構，位于所述第一芯片和所述多個金屬柱下面，并電連接至所述第一芯片和所述多個金屬柱；多個連接焊盤，位于所述重分布結構下面，并電連接至所述重分布結構；以及第二芯片，電連接至所述凹進的第一金屬柱。

根據本發明的另一些實施例，還提供了一種形成封裝件的方法，包括：在載體上方形成犧牲區域；在所述載體上方形成金屬柱，其中，所述金屬柱與所述犧牲區域的至少一部分重疊；將所述金屬柱和所述犧牲區域包封在包封材料中；從所述載體上分離所述金屬柱、所述犧牲區域和所述包封材料；以及去除犧牲區域的至少一部分，以形成從所述包封材料的表面水平延伸至所述包封材料內的凹槽。

根據本發明的又一些實施例，還提供了一種封裝件，包括：包封材料；金屬柱，位于所述包封材料中；焊料區域，包括從所述包封材料的頂面延伸至所述金屬柱內的第一部分，其中，所述金屬柱的部分環繞所述焊料區域的第一部分；以及器件管芯，位于所述包封材料中。

附圖說明

當結合附圖進行閱讀時，根據下面詳細的描述可以最佳地理解本發明的各方面。應該強調的是，根據工業中的標準實踐，各個部件未按比例繪制。實際上，為了清楚地討論，各個部件的尺寸可以任意地增加或減少。

圖1、圖2A和圖3至18示出了根據一些實施例的形成封裝件的中間階段的截面圖。

圖2B示出了根據一些實施例的分布聚合物點的透視圖。

圖19示出了根據一些實施例的通孔中的凹槽的俯視圖。

圖20至圖26示出了根據一些實施例的封裝件中的一些凹槽的截面圖。

圖27A和圖27B分別示出了根據一些實施例的封裝件中的細長凹槽的俯視圖和截面圖。