[發明專利]具有帶有腔體的TIV的InFO-POP結構

有效

• 申請號: 201810717245.4
• 申請日: 2018-07-03
• 公開（公告）號: CN109585388B
• 公開（公告）日: 2020-09-25
• 發明（設計）人: 林俊成;余振華;蔡柏豪
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/535;H01L25/065;H01L21/56
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種封裝件，包括：

第一芯片；

多個金屬柱，圍繞所述第一芯片，其中，所述多個金屬柱包括凹進的第一金屬柱；

聚合物，位于所述凹進的第一金屬柱中，其中，所述凹進的第一金屬柱包括在同一水平處位于所述聚合物的相對側上的部分；

包封材料，圍繞所述第一芯片和所述多個金屬柱，其中，所述凹進的第一金屬柱的頂面包括低于所述包封材料的頂面水平的第一部分；

重分布結構，位于所述第一芯片和所述多個金屬柱下面，并電連接至所述第一芯片和所述多個金屬柱；

多個連接焊盤，位于所述重分布結構下面，并電連接至所述重分布結構；以及

第二芯片，電連接至所述凹進的第一金屬柱。

2.根據權利要求1所述的封裝件，其中，所述凹進的第一金屬柱的頂面還包括：

第二部分，環繞所述第一部分，所述第二部分高于所述第一部分。

3.根據權利要求2所述的封裝件，其中，所述凹進的第一金屬柱包括：

含銅部分；以及

含鈦層，位于所述含銅部分上方，其中，所述凹進的第一金屬柱的頂面的所述第一部分包括銅，所述凹進的第一金屬柱的頂面的所述第二部分包括含鈦層的頂面。

4.根據權利要求1所述的封裝件，還包括：

焊料區域，與所述凹進的第一金屬柱的所述第一部分接觸，其中，所述焊料區域將所述第二芯片接合至所述第一芯片。

5.根據權利要求4所述的封裝件，其中，所述凹進的第一金屬柱的頂面還包括：

第二部分，圍繞所述第一部分，并且，

所述聚合物位于所述第二部分上方并與所述第二部分接觸。

6.根據權利要求1所述的封裝件，其中，所述多個金屬柱還包括：

凹進的第二金屬柱，其中，包封材料的一部分位于所述凹進的第一金屬柱和所述凹進的第二金屬柱之間，并且，所述包封材料的一部分的頂面低于所述包封材料的頂面水平。

7.一種形成封裝件的方法，包括：

在載體上方分布聚合物點以及固化所述聚合物點從而形成犧牲區域；

在所述載體上方形成金屬柱，其中，所述金屬柱與所述犧牲區域的至少一部分重疊；

將所述金屬柱和所述犧牲區域包封在包封材料中；

從所述載體上分離所述金屬柱、所述犧牲區域和所述包封材料；以及

去除犧牲區域的至少一部分，以形成從所述包封材料的表面水平延伸至所述包封材料內的凹槽。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，形成所述金屬柱包括：

沉積在所述犧牲區域的側壁和頂面上延伸的毯式金屬晶種層；

形成位于所述毯式金屬晶種層上方的圖案化的光刻膠；以及

在所述圖案化的光刻膠中的開口中鍍金屬柱。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，所述毯式金屬晶種層包括：鈦層和位于所述鈦層上方的銅層，并且，在去除所述犧牲區域以形成所述凹槽之后，去除所述凹槽中的所述鈦層的部分。

10.根據權利要求7所述的方法，其中，所述金屬柱與整個所述犧牲區域重疊，并且延伸超過所述犧牲區域的邊緣，并且，所述凹槽延伸至所述金屬柱內的部分內，并且被所述金屬柱的部分環繞。

11.根據權利要求7所述的方法，其中，所述金屬柱與所述犧牲區域的第一部分重疊，并且，所述犧牲區域還包括延伸超過所述金屬柱的邊緣的第二部分，并且，所述包封材料具有暴露于所述凹槽的側壁。

12.根據權利要求7所述的方法，其中，所述犧牲區域延伸進入所述金屬柱中，并且其中，所述犧牲區域和所述金屬柱由不同的材料形成。

13.根據權利要求7所述的方法，其中，去除整個所述犧牲區域。