[發明專利]有機發光顯示器件及其制造方法、以及有機發光顯示裝置有效
| 申請號: | 201810715844.2 | 申請日: | 2016-12-13 |
| 公開(公告)號: | CN108807493B | 公開(公告)日: | 2020-09-22 |
| 發明(設計)人: | 程爽;濱田;牛晶華;王湘成 | 申請(專利權)人: | 上海天馬有機發光顯示技術有限公司;天馬微電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
| 地址: | 200120 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 顯示 器件 及其 制造 方法 以及 顯示裝置 | ||
本發明實施例公開了一種有機發光顯示器件及其制造方法、以及有機發光顯示裝置,該有機發光顯示器件包括:第一電極、光學補償層、發光層和第二電極。本發明實施例中任意一種不同發光顏色的像素區域所對應的光學補償區域的材料特征參數符合限定條件,均能夠控制該發光顏色像素區域所對應的發光區域的發光中心位置,達到改善該發光顏色像素區域的視角色偏的效果。
技術領域
本發明實施例涉及顯示技術,尤其涉及一種有機發光顯示器件及其制造方法、以及有機發光顯示裝置。
背景技術
頂發射有機發光顯示器件的正負極之間構成了微腔結構,微腔結構具有微腔效應,例如對微腔結構發射波長處即發光中心有光強度增加效應,對發射峰光譜有窄化作用同時還可以改變發射峰波長,還能夠調整發射峰值波長、強度和發射峰的半高寬,即頂發射有機發光顯示器件的微腔效應能夠提高色純度、發光效率和發光強度。而微腔長度是微腔結構的重要參數,那么微腔長度是影響頂發射有機發光顯示器件微腔效應的重要因素。
基于不同發光顏色的本征發射波長不同,頂發射有機發光顯示器件中不同發光顏色所對應的微腔長度不同,從而頂發射有機發光顯示器件的不同發光顏色能夠達到近似的色純度、發光效率和發光強度等微腔效應效果。具體的,紅光的本征發射波長大于綠光的本征發射波長,綠光的本征發射波長大于藍光的本征發射波長,則紅光所對應的微腔長度通常大于綠光和藍光所對應的微腔長度。
然而,微腔長度較長的情況下,受微腔效應影響器件容易產生大的視角色偏,現有有機發光顯示器件在60°視角下的視角色偏已超過0.06。
發明內容
本發明實施例提供一種有機發光顯示器件及其制造方法、以及有機發光顯示裝置,以解決現有有機發光顯示器件的視角色偏大的問題。
第一方面,本發明實施例提供了一種有機發光顯示器件,該有機發光顯示器件包括:
依次層疊設置的第一電極、發光層和第二電極,所述發光層包括多個發光區域,所述多個發光區域分別對應多個像素區域,所述多個像素區域包含紅色像素區域、綠色像素區域和藍色像素區域中的至少一種;
光學補償層,位于所述第一電極和所述發光層之間且所述光學補償層與所述發光層直接接觸,所述光學補償層包括多個光學補償區域,所述多個光學補償區域與所述多個像素區域分別對應設置,
所述紅色像素區域所對應的第一光學補償區域的遷移率μCR、HOMO能級HOMOCR和LUMO能級LUMOCR中的至少一種參數滿足下述條件:
9*10-5cm2/V·s≤μCR≤1*10-3cm2/V·s,4.8eV≤HOMOCR≤5.8eV,1.0eV≤LUMOCR≤2.4eV;
所述綠色像素區域所對應的第二光學補償區域的遷移率μCG、HOMO能級HOMOCG和LUMO能級LUMOCG中的至少一種參數滿足下述條件:
6*10-5cm2/V·s≤μCG≤5*10-4cm2/V·s,4.5eV≤HOMOCG≤5.7eV,1.25eV≤LUMOCG≤2.65eV;
所述藍色像素區域所對應的第三光學補償區域的遷移率μCB、HOMO能級HOMOCB和LUMO能級LUMOCB中的至少一種參數滿足下述條件:
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海天馬有機發光顯示技術有限公司;天馬微電子股份有限公司,未經上海天馬有機發光顯示技術有限公司;天馬微電子股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810715844.2/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





