[發明專利]有機發光顯示器件及其制造方法、以及有機發光顯示裝置有效
| 申請號: | 201810715844.2 | 申請日: | 2016-12-13 |
| 公開(公告)號: | CN108807493B | 公開(公告)日: | 2020-09-22 |
| 發明(設計)人: | 程爽;濱田;牛晶華;王湘成 | 申請(專利權)人: | 上海天馬有機發光顯示技術有限公司;天馬微電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
| 地址: | 200120 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 顯示 器件 及其 制造 方法 以及 顯示裝置 | ||
1.一種有機發光顯示器件,其特征在于,包括:
依次層疊設置的第一電極、發光層和第二電極,所述發光層包括多個發光區域,所述多個發光區域分別對應多個像素區域,所述多個像素區域包含紅色像素區域、綠色像素區域和藍色像素區域中的至少一種;
光學補償層,位于所述第一電極和所述發光層之間且所述光學補償層與所述發光層直接接觸,所述光學補償層包括多個光學補償區域,所述多個光學補償區域與所述多個像素區域分別對應設置,
所述紅色像素區域所對應的第一光學補償區域的空穴遷移率μCR、HOMO能級HOMOCR和LUMO能級LUMOCR中的至少一種參數滿足下述條件:
9*10-5cm2/V·s≤μCR≤1*10-3cm2/V·s,4.8eV≤HOMOCR≤5.8eV,1.0eV≤LUMOCR≤2.4eV;
所述綠色像素區域所對應的第二光學補償區域的空穴遷移率μCG、HOMO能級HOMOCG和LUMO能級LUMOCG中的至少一種參數滿足下述條件:
6*10-5cm2/V·s≤μCG≤5*10-4cm2/V·s,4.5eV≤HOMOCG≤5.7eV,1.25eV≤LUMOCG≤2.65eV;
所述藍色像素區域所對應的第三光學補償區域的空穴遷移率μCB、HOMO能級HOMOCB和LUMO能級LUMOCB中的至少一種參數滿足下述條件:
1*10-5cm2/V·s≤μCB≤5*10-4cm2/V·s,5.4eV≤HOMOCB≤6.1eV,1.8eV≤LUMOCB≤2.4eV;
所述多個像素區域包含所述紅色像素區域、所述綠色像素區域和所述藍色像素區域中的至少一種;
所述紅色像素區域所對應的第一發光區域的主體材料的空穴遷移率μER、HOMO能級HOMOER和LUMO能級LUMOER中的至少一種參數滿足下述條件:
4*10-5cm2/V·s≤μER≤9*10-4cm2/V·s,4.9eV≤HOMOER≤5.3eV,2.0eV≤LUMOER≤2.4eV;
所述綠色像素區域所對應的第二發光區域的主體材料的空穴遷移率μEG、HOMO能級HOMOEG和LUMO能級LUMOEG中的至少一種參數滿足下述條件:
6*10-5cm2/V·s≤μEG≤5*10-4cm2/V·s,5.3eV≤HOMOEG≤5.9eV,2.0eV≤LUMOEG≤3.3eV;
所述藍色像素區域所對應的第三發光區域的主體材料的空穴遷移率μEB、HOMO能級HOMOEB和LUMO能級LUMOEB中的至少一種參數滿足下述條件:
1*10-5cm2/V·s≤μEB≤1*10-4cm2/V·s,5.6eV≤HOMOEB≤6.2eV,2.5eV≤LUMOEB≤3.0eV;
所述第一發光區域的主體材料的空穴遷移率μER、HOMO能級HOMOER和LUMO能級LUMOER中的至少一種參數滿足下述條件:4*10-5cm2/V·s≤μER≤9*10-4cm2/V·s,-0.1eV≤HOMOCR-HOMOER≤0.3eV,0.05eV≤LUMOCR-LUMOER≤0.5eV;
所述第二發光區域的主體材料的空穴遷移率μEG、HOMO能級HOMOEG和LUMO能級LUMOEG中的至少一種參數滿足下述條件:6*10-5cm2/V·s≤μEG≤5*10-4cm2/V·s,-0.3eV≤HOMOCG-HOMOEG≤0eV,-0.1eV≤LUMOCG-LUMOEG≤0.7eV;
所述第三發光區域的主體材料的空穴遷移率μEB、HOMO能級HOMOEB和LUMO能級LUMOEB中的至少一種參數滿足下述條件:1*10-5cm2/V·s≤μEB≤1*10-4cm2/V·s,-0.5eV≤HOMOCB-HOMOEB≤0.2eV,0.4eV≤LUMOCB-LUMOEB≤0.55eV;
其中,所述第一發光區域的主體材料的三線態能級T1HR大于其客體材料的三線態能級T1DR;所述第二發光區域的主體材料的三線態能級T1HG大于其客體材料的三線態能級T1DG;所述第三發光區域的主體材料的三線態能級T1HB大于其客體材料的三線態能級T1DB。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





