[發(fā)明專利]掩模及其形成方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810714793.1
• 申請(qǐng)日: 2018-07-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109752917A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-05-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊世豪;涂志強(qiáng);陳俊郎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G03F1/26
• 分類(lèi)號(hào): G03F1/26;G03F1/54;G03F1/48;G03F1/76;G03F1/64
• 代理公司: 南京正聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32243
• 代理人: 顧伯興

本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)掩模及其形成方法。所述掩模包括襯底、相移層、遮蔽層及保護(hù)層。所述相移層設(shè)置在所述襯底之上。所述遮蔽層設(shè)置在所述相移層之上。所述保護(hù)層設(shè)置在所述遮蔽層之上且與所述遮蔽層實(shí)體接觸。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實(shí)施例涉及一種掩模及其形成方法。

背景技術(shù)

光刻(photolithography)用于在半導(dǎo)體裝置的制作過(guò)程中將圖案轉(zhuǎn)移到芯片上。基于各種集成電路(integrated circuit，IC)布局，圖案從光掩模(或掩模版)轉(zhuǎn)移到芯片的表面。隨著尺寸的減小及集成電路芯片中密度的增大，開(kāi)發(fā)出了例如光學(xué)鄰近效應(yīng)校正(optical proximity correction，OPC)、離軸照明(off-axis illumination，OAI)、雙重偶極光刻(double dipole lithography，DDL)及相移掩模(phase-shift mask，PSM)等分辨率增強(qiáng)技術(shù)，以改善焦點(diǎn)深度(depth of focus，DOF)且因此能使得圖案更好地傳遞到芯片上。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，一種掩模包括襯底、相移層、遮蔽層及保護(hù)層。所述相移層設(shè)置在所述襯底之上。所述遮蔽層設(shè)置在所述相移層之上。所述保護(hù)層設(shè)置在所述遮蔽層之上且與所述遮蔽層實(shí)體接觸。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，一種掩模包括襯底、相移層、遮蔽層及含硅的保護(hù)層。所述襯底包括圖像區(qū)及框架區(qū)，其中所述框架區(qū)具有與所述圖像區(qū)相鄰的圖像邊界區(qū)。所述相移層在所述圖像區(qū)及所述框架區(qū)中設(shè)置在所述襯底之上。所述遮蔽層設(shè)置在所述相移層之上。所述含硅的保護(hù)層設(shè)置在所述遮蔽層之上，其中所述遮蔽層及所述含硅的保護(hù)層設(shè)置在所述圖像邊界區(qū)中。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，一種形成掩模的方法包括以下步驟。在襯底之上依序形成相移層、遮蔽層、保護(hù)層及硬掩模層。在所述硬掩模層之上形成第一掩模層，以暴露出所述硬掩模層的一些部分。使用所述第一掩模層將所述硬掩模層及所述保護(hù)層圖案化，以暴露出所述遮蔽層的一些部分。移除所述第一掩模層。在所述硬掩模層之上形成第二掩模層，以暴露出所述硬掩模層的一些部分及所述遮蔽層的一些部分。使用所述第二掩模層將所述硬掩模層圖案化，以暴露出所述保護(hù)層的一些部分。使用所述保護(hù)層作為掩模將所述遮蔽層圖案化，以暴露出所述相移層的一些部分。移除所述第二掩模層。使用所述硬掩模層將所述保護(hù)層圖案化。使用所述遮蔽層作為掩模將所述相移層圖案化。使用所述保護(hù)層作為掩模將所述遮蔽層圖案化。移除所述硬掩模層。

附圖說(shuō)明

結(jié)合附圖閱讀以下詳細(xì)說(shuō)明，會(huì)最好地理解本公開(kāi)的各個(gè)方面。應(yīng)注意，根據(jù)本行業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)慣例，各種特征并非按比例繪制。事實(shí)上，為使論述清晰起見(jiàn)，可任意增大或減小各種特征的臨界尺寸(critical dimension)。

圖1是根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例的一種制作掩模的方法的流程圖。

圖2A到圖2E是示出根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例的一種制作掩模的方法的示意性剖視圖。

圖3是示出根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例的掩模的示意性俯視圖。

具體實(shí)施方式

以下公開(kāi)內(nèi)容提供用于實(shí)施所提供主題的不同特征的許多不同實(shí)施例或?qū)嵗?。以下闡述組件及排列形式的具體實(shí)例以簡(jiǎn)化本公開(kāi)內(nèi)容。當(dāng)然，這些僅為實(shí)例而并非旨在進(jìn)行限制。舉例來(lái)說(shuō)，以下說(shuō)明中將第二特征形成在第一特征“之上”或第一特征“上”可包括其中第二特征及第一特征被形成為直接接觸的實(shí)施例，且也可包括其中第二特征與第一特征之間可形成有附加特征、從而使得所述第二特征與所述第一特征可能不直接接觸的實(shí)施例。另外，本公開(kāi)內(nèi)容可能在各種實(shí)例中重復(fù)使用參考編號(hào)及/或字母。這種重復(fù)使用是出于簡(jiǎn)潔及清晰的目的，而不是自身表示所論述的各種實(shí)施例及/或配置之間的關(guān)系。