[發明專利]掩模及其形成方法

在審

• 申請號: 201810714793.1
• 申請日: 2018-07-03
• 公開（公告）號: CN109752917A
• 公開（公告）日: 2019-05-14
• 發明（設計）人: 楊世豪;涂志強;陳俊郎
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F1/26
• 分類號: G03F1/26;G03F1/54;G03F1/48;G03F1/76;G03F1/64
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 顧伯興

1.一種掩模，其特征在于，包括：

襯底；

相移層，設置在所述襯底之上；

遮蔽層，設置在所述相移層之上；以及

保護層，設置在所述遮蔽層之上且與所述遮蔽層實體接觸。

2.根據權利要求1所述的掩模，其特征在于，所述遮蔽層的材料包括含鉭的材料、含鉻的材料、含鈦的材料或它們的組合。

3.根據權利要求1所述的掩模，其特征在于，所述保護層的材料包括含硅的材料。

4.一種掩模，其特征在于，包括：

襯底，包括圖像區及框架區，其中所述框架區具有與所述圖像區相鄰的圖像邊界區；

相移層，在所述圖像區及所述框架區中設置在所述襯底之上；

遮蔽層，設置在所述相移層之上；以及

含硅的保護層，設置在所述遮蔽層之上，其中所述遮蔽層及所述含硅的保護層設置在所述圖像邊界區中。

5.根據權利要求4所述的掩模，其特征在于，所述遮蔽層的內邊緣與所述含硅的保護層的內邊緣實質上對齊。

6.根據權利要求4所述的掩模，其特征在于，所述含硅的保護層僅設置在所述圖像邊界區中。

7.一種形成掩模的方法，其特征在于，包括：

在襯底之上依序形成相移層、遮蔽層、保護層及硬掩模層；

在所述硬掩模層之上形成第一掩模層，以暴露出所述硬掩模層的一些部分；

使用所述第一掩模層將所述硬掩模層及所述保護層圖案化，以暴露出所述遮蔽層的一些部分；

移除所述第一掩模層；

在所述硬掩模層之上形成第二掩模層，以暴露出所述硬掩模層的一些部分及所述遮蔽層的一些部分；

使用所述第二掩模層將所述硬掩模層圖案化，以暴露出所述保護層的一些部分；

使用所述保護層作為掩模將所述遮蔽層圖案化，以暴露出所述相移層的一些部分；

移除所述第二掩模層；

使用所述硬掩模層將所述保護層圖案化；

使用所述遮蔽層作為掩模將所述相移層圖案化；

使用所述保護層作為掩模將所述遮蔽層圖案化；以及

移除所述硬掩模層。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述襯底包括圖像區及框架區，所述框架區具有與所述圖像區相鄰的圖像邊界區，且所述使用所述第一掩模層將所述硬掩模層及所述保護層圖案化的步驟包括：

通過第一蝕刻工藝，從被所述第一掩模層暴露出的所述圖像區移除所述硬掩模層的一些部分；以及

通過第二蝕刻工藝，從被所述第一掩模層暴露出的所述圖像區移除所述保護層的一些部分。

9.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述襯底包括圖像區及框架區，所述框架區具有與所述圖像區相鄰的圖像邊界區，且所述使用所述第二掩模層將所述硬掩模層圖案化的步驟及所述使用所述保護層作為掩模將所述遮蔽層圖案化的步驟包括：

通過蝕刻工藝，同時從被所述第二掩模層暴露出的所述圖像邊界區移除所述硬掩模層的一些部分以及從被所述保護層暴露出的所述圖像區移除所述遮蔽層的一些部分。

10.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述襯底包括圖像區及框架區，所述框架區具有與所述圖像區相鄰的圖像邊界區，且所述使用所述硬掩模層將所述保護層圖案化的步驟及所述使用所述遮蔽層作為掩模將所述相移層圖案化的步驟包括：

通過蝕刻工藝，同時從被所述硬掩模層暴露出的所述圖像邊界區移除所述保護層的一些部分以及從被所述遮蔽層暴露出的所述圖像區移除所述相移層的一些部分。