[發明專利]一種薄膜晶體管及其制造方法、以及顯示面板

在審

• 申請號: 201810707203.2
• 申請日: 2018-07-02
• 公開（公告）號: CN108615771A
• 公開（公告）日: 2018-10-02
• 發明（設計）人: 卓恩宗
• 申請（專利權）人: 惠科股份有限公司;重慶惠科金渝光電科技有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

本發明實施例公開了一種薄膜晶體管及其制造方法、以及顯示面板，該薄膜晶體管包括：襯底；依次形成在襯底上的柵極、柵極絕緣層、半導體層、摻雜層和源漏極，半導體層吸收波長大于760nm的光線。本發明實施例中，半導體層吸收波長大于760nm的光線即半導體層不吸收可見光，則光線照射薄膜晶體管時，即使光線照射到薄膜晶體管的半導體層上，基于半導體層不吸收可見光的特性，薄膜晶體管的半導體層也不會吸收光線，也不會與可見光發生反應導致產生光漏電流，從而也不會增大薄膜晶體管的漏電流。與現有技術相比，降低了薄膜晶體管的漏電流，提高了薄膜晶體管的電性能穩定性，當該薄膜晶體管應用在顯示面板中時，還能夠降低顯示面板的功耗。

技術領域

本發明實施例涉及晶體管技術，尤其涉及一種薄膜晶體管及其制造方法、以及顯示面板。

背景技術

薄膜晶體管是顯示面板的關鍵器件，對顯示面板的工作性能具有十分重要的作用，而隨著電子設備的快速發展，人們要求電子設備的功耗越低越好，續航能力越高越好，因此也要求電子設備中的顯示面板的低功耗。

顯示面板中設置有薄膜晶體管陣列基板，然而現有薄膜晶體管陣列基板的薄膜晶體管的漏電流相對較大，而當光線照射到薄膜晶體管上時還會產生光生載流子，進一步增大薄膜晶體管的漏電流，導致顯示面板的功耗較大，還導致薄膜晶體管的穩定性能差。

發明內容

本發明實施例提供一種薄膜晶體管及其制造方法、以及顯示面板，以降低薄膜晶體管的漏電流以及提高薄膜晶體管的穩定性。

本發明實施例提供了一種薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括：

襯底；

依次形成在所述襯底上的柵極、柵極絕緣層、半導體層、摻雜層和源漏極，所述半導體層吸收波長大于760nm的光線。

進一步地，所述薄膜晶體管采用4道掩膜工藝制造，所述4道掩膜工藝依次包括：采用一次濕法刻蝕工藝形成源漏極金屬層、采用一次干法刻蝕工藝形成摻雜膜層和半導體膜層以及對光刻膠進行灰化、采用一次濕法刻蝕工藝形成所述源漏極、以及采用一次干法刻蝕工藝形成所述摻雜層和所述半導體層。

進一步地，所述半導體層的組成材料包括微晶硅、微晶硅鍺或微晶鍺。

本發明實施例還提供了一種薄膜晶體管的制造方法，該薄膜晶體管的制造方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底上依次形成柵極、柵極絕緣層、半導體層、摻雜層和源漏極，其中，所述半導體層吸收波長大于760nm的光線。

進一步地，所述半導體層的組成材料包括微晶硅、微晶硅鍺或微晶鍺。

進一步地，采用等離子體增強化學氣相沉積法形成所述半導體層。

進一步地，所述半導體層的組成材料包括微晶硅，形成所述半導體層的反應氣體包括：氫氣H₂和四氫化硅SiH₄，其中，H₂和SiH₄的氣體體積之比H₂/SiH₄大于或等于20:1且小于或等于180:1。