[發明專利]一種薄膜晶體管及其制造方法、以及顯示面板

在審

• 申請號: 201810707203.2
• 申請日: 2018-07-02
• 公開（公告）號: CN108615771A
• 公開（公告）日: 2018-10-02
• 發明（設計）人: 卓恩宗
• 申請（專利權）人: 惠科股份有限公司;重慶惠科金渝光電科技有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：

襯底；

依次形成在所述襯底上的柵極、柵極絕緣層、半導體層、摻雜層和源漏極，所述半導體層吸收波長大于760nm的光線。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管采用4道掩膜工藝制造，所述4道掩膜工藝依次包括：采用一次濕法刻蝕工藝形成源漏極金屬層、采用一次干法刻蝕工藝形成摻雜膜層和半導體膜層以及對光刻膠進行灰化、采用一次濕法刻蝕工藝形成所述源漏極、以及采用一次干法刻蝕工藝形成所述摻雜層和所述半導體層。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述半導體層的組成材料包括微晶硅、微晶硅鍺或微晶鍺。

4.一種薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，包括：

提供一襯底；

在所述襯底上依次形成柵極、柵極絕緣層、半導體層、摻雜層和源漏極，其中，所述半導體層吸收波長大于760nm的光線。

5.根據權利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述半導體層的組成材料包括微晶硅、微晶硅鍺或微晶鍺。

6.根據權利要求5所述的制造方法，其特征在于，采用等離子體增強化學氣相沉積法形成所述半導體層。

7.根據權利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述半導體層的組成材料包括微晶硅，形成所述半導體層的反應氣體包括：氫氣H₂和四氫化硅SiH₄，其中，H₂和SiH₄的氣體體積之比H₂/SiH₄大于或等于20:1且小于或等于180:1。

8.根據權利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述半導體層的組成材料包括微晶硅鍺，形成所述半導體層的反應氣體包括：氫氣H₂、四氫化硅SiH₄和氫化鍺GeH₄，其中，H₂和SiH₄的氣體體積之比H₂/SiH₄大于或等于20:1且小于或等于180:1，H₂和GeH₄的氣體體積之比H₂/GeH₄大于或等于20:1且小于或等于180:1，GeH₄和SiH₄的氣體體積之比GeH₄/SiH₄大于或等于1:10。

9.根據權利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述半導體層的組成材料包括微晶鍺，形成所述半導體層的反應氣體包括：氫氣H₂和氫化鍺GeH₄，其中，H₂和GeH₄的氣體體積之比H₂/GeH₄大于或等于20:1且小于或等于180:1。

10.一種顯示面板，其特征在于，該顯示面板包括薄膜晶體管陣列基板，所述薄膜晶體管陣列基板包括如權利要求1-3任一項所述的薄膜晶體管。