[發(fā)明專利]非易失性存儲器器件及其操作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810705803.5 | 申請日： | 2018-07-02 |
| 公開（公告）號： | CN109524045A | 公開（公告）日： | 2019-03-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 鄭原宅;郭昭英;南尚完 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | G11C16/34 | 分類號： | G11C16/34;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 邵亞麗 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 存儲器單元 字線 非易失性存儲器器件 感測節(jié)點(diǎn) 相鄰存儲器單元 讀取 編程電壓 電荷共享 位線 編程 施加 驗(yàn)證 | ||
非易失性存儲器器件的操作方法包括：將編程電壓施加到所選擇的字線并對連接到所選擇的字線的所選擇的存儲器單元進(jìn)行編程；讀取連接到所選擇的字線的相鄰字線的相鄰存儲器單元；以及通過調(diào)整所選擇的存儲器單元與感測節(jié)點(diǎn)之間的電荷共享來驗(yàn)證所選擇的存儲器單元，其中該感測節(jié)點(diǎn)通過位線連接到所選擇的存儲器單元。
相關(guān)申請的交叉引用
本申請要求于2017年9月20日向韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的申請?zhí)枮?0-2017-0121315的韓國專利申請的權(quán)益，其公開通過引用以整體并入本文。
背景技術(shù)
本公開涉及一種存儲器器件，更具體地，涉及執(zhí)行自適應(yīng)驗(yàn)證操作的非易失性存儲器器件。
半導(dǎo)體存儲器器件是通過使用諸如硅(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等的半導(dǎo)體來實(shí)施的存儲器器件。半導(dǎo)體存儲器器件可以被分類為易失性存儲器器件和非易失性存儲器器件。
非易失性存儲器器件是當(dāng)存儲器器件沒有電源供應(yīng)時(shí)存儲的數(shù)據(jù)不被擦除的存儲器器件。非易失性存儲器器件包括ROM、PROM、EPROM、EEPROM、快閃存儲器器件、PRAM、MRAM、RRAM、FRAM等?？扉W存儲器器件可以被分類為NOR型和NAND型。
發(fā)明內(nèi)容
本公開提供了通過自適應(yīng)地執(zhí)行驗(yàn)證操作來改善保留質(zhì)量的一種非易失性存儲器器件及其操作方法。
根據(jù)本公開的一個(gè)方面，提供了一種非易失性存儲器器件的操作方法。該方法包括將編程電壓施加到所選擇的字線并對連接到所選擇的字線的所選擇的存儲器單元進(jìn)行編程，讀取連接到所選擇的字線的相鄰字線的相鄰存儲器單元，以及通過調(diào)整所選擇的存儲器單元與通過位線連接到所選擇的存儲器單元的感測節(jié)點(diǎn)之間的電荷共享來驗(yàn)證所選擇的存儲器單元。
根據(jù)本公開的另一方面，提供了一種非易失性存儲器器件的操作方法。該方法包括將編程電壓施加到所選擇的字線并對連接到所選擇的字線的所選擇的存儲器單元進(jìn)行編程，通過使用第一參考電壓讀取連接到在所選擇的字線的正上方或在所選擇的字線的正下方的相鄰字線的相鄰存儲器單元，以及通過基于讀取相鄰存儲器單元的結(jié)果來改變感測時(shí)間來驗(yàn)證所選擇的存儲器單元。感測時(shí)間是位線感測信號被施加來控制感測節(jié)點(diǎn)的電荷共享的時(shí)間。
根據(jù)本公開的另一方面，提供了一種非易失性存儲器器件。非易失性存儲器器件包括存儲器單元陣列和控制邏輯。存儲器單元陣列包括連接到多個(gè)位線的多個(gè)存儲器單元?？刂七壿嬐ㄟ^讀取對所選擇的存儲器單元進(jìn)行尋址的所選擇的字線的相鄰字線并且調(diào)整所選擇的存儲器單元與通過位線連接到所選擇的存儲器單元的感測節(jié)點(diǎn)之間的電荷共享來對所選擇的存儲器單元執(zhí)行驗(yàn)證。
根據(jù)本公開的另一方面，提供了一種由非易失性存儲器器件執(zhí)行的方法。所述方法包括：(1)對由所選擇的字線尋址的所選擇的存儲器單元進(jìn)行編程，(2)讀取由與所選擇的字線相鄰的相鄰字線尋址的相鄰存儲器單元，以確定相鄰存儲器單元的編程狀態(tài)，(3)基于編程狀態(tài)確定是施加第一驗(yàn)證操作還是與第一驗(yàn)證操作不同的第二驗(yàn)證操作作為所選擇的驗(yàn)證操作，以及(4)將所選擇的驗(yàn)證操作施加到所選擇的存儲器單元用于確定所選擇的存儲器單元是否被編程為預(yù)定編程狀態(tài)。
附圖說明
從結(jié)合附圖的以下詳細(xì)描述中本公開的實(shí)施例將被更清楚地理解，其中：
圖1是示出根據(jù)本公開的實(shí)施例的非易失性存儲器系統(tǒng)的框圖；
圖2是示出根據(jù)本公開的實(shí)施例的非易失性存儲器器件的框圖；
圖3是示出根據(jù)本公開的實(shí)施例的非易失性存儲器器件的操作方法的流程圖；
圖4是示出根據(jù)本公開的實(shí)施例的被包括在存儲器單元陣列中的存儲器塊的電路圖；
圖5是示出根據(jù)本公開的實(shí)施例的被包括在存儲器單元陣列中的存儲器塊的另一示例的電路圖；
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