[發(fā)明專利]非易失性存儲器器件及其操作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810705803.5
• 申請日: 2018-07-02
• 公開（公告）號: CN109524045A
• 公開（公告）日: 2019-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄭原宅;郭昭英;南尚完
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34;G11C16/04
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 邵亞麗

1.一種由非易失性存儲器器件執(zhí)行的操作方法，所述方法包括：

將編程電壓施加到所選擇的字線并對連接到所選擇的字線的所選擇的存儲器單元進行編程；

讀取連接到所選擇的字線的相鄰字線的相鄰存儲器單元；以及

通過調(diào)整所選擇的存儲器單元與感測節(jié)點之間的電荷共享來驗證所選擇的存儲器單元，所述感測節(jié)點通過位線連接到所選擇的存儲器單元。

2.如權(quán)利要求1所述的操作方法，其中：

對所選擇的存儲器單元的驗證包括基于讀取相鄰存儲器單元的結(jié)果來改變感測時間以控制感測節(jié)點的電荷共享，并且

感測時間是位線感測信號被施加的時間。

3.如權(quán)利要求2所述的操作方法，其中：

所選擇的存儲器單元被編程為從擦除狀態(tài)到第N編程狀態(tài)中的一個，其中N是等于或大于1的自然數(shù)，以及

對相鄰存儲器單元的讀取包括確定相鄰存儲器單元是否被編程為從擦除狀態(tài)到第N編程狀態(tài)中的一個。

4.如權(quán)利要求3所述的操作方法，其中對所選擇的存儲器單元的驗證包括：

響應(yīng)于確定相鄰存儲器單元被編程為從擦除狀態(tài)到第K狀態(tài)中的一個，將感測時間確定為第一感測時間，其中K是等于或小于N的自然數(shù)；以及

響應(yīng)于確定相鄰存儲器單元被編程為從第K+1編程狀態(tài)到第N編程狀態(tài)中的一個，將感測時間確定為第二感測時間。

5.如權(quán)利要求4所述的操作方法，其中第一感測時間比第二感測時間長。

6.如權(quán)利要求3所述的操作方法，其中對所選擇的存儲器單元的驗證包括：

響應(yīng)于確定相鄰存儲器單元被編程為擦除狀態(tài)，將感測時間確定為第一感測時間；以及

響應(yīng)于確定相鄰存儲器單元被編程為從第一編程狀態(tài)到第N編程狀態(tài)中的一個，將感測時間確定為第二感測時間。

7.如權(quán)利要求3所述的操作方法，其中在對所選擇的存儲器單元的驗證中，響應(yīng)于確定所選擇的存儲器單元被編程為擦除狀態(tài)到第L編程狀態(tài)中的一個，感測時間不被改變，其中L是等于或大于1并且等于或小于N的自然數(shù)。

8.如權(quán)利要求3所述的操作方法，其中：

所選擇的存儲器單元被編程為第M編程狀態(tài)，其中M是等于或大于1并且等于或小于N的自然數(shù)，并且

對所選擇的存儲器單元的驗證包括：

響應(yīng)于確定相鄰存儲器單元被編程為從擦除狀態(tài)到第(M-P)編程狀態(tài)中的一個，將感測時間確定為第一感測時間，其中P是等于或大于1的自然數(shù)；以及

響應(yīng)于確定相鄰存儲器單元被編程為從第(M-P+1)編程狀態(tài)到第N編程狀態(tài)中的一個，將感測時間確定為第二感測時間。

9.如權(quán)利要求1所述的操作方法，其中對所選擇的存儲器單元的驗證包括基于讀取相鄰存儲器單元的結(jié)果來改變被施加到所選擇的字線的驗證電壓電平。

10.如權(quán)利要求1所述的操作方法，其中在對所選擇的存儲器單元的編程之前的第一點和在對所選擇的存儲器單元的編程之后的第二點中的一點處執(zhí)行對相鄰存儲器單元的讀取。

11.如權(quán)利要求1所述的操作方法，其中相鄰字線被布置在所選擇的字線的正上方或正下方。

12.一種由非易失性存儲器器件執(zhí)行的操作方法，所述方法包括：

將編程電壓施加到所選擇的字線并對連接到所選擇的字線的所選擇的存儲器單元進行編程；

通過使用第一參考電壓來讀取連接到在所選擇的字線的正上方或正下方的相鄰字線的相鄰存儲器單元；以及

通過基于讀取相鄰存儲器單元的結(jié)果來改變感測時間來驗證所選擇的存儲器單元，其中

感測時間是位線感測信號被施加來控制感測節(jié)點的電荷共享的時間。