[發明專利]導電膜結構及其制作方法、觸控面板

有效

• 申請號: 201810704527.0
• 申請日: 2018-06-30
• 公開（公告）號: CN108845722B
• 公開（公告）日: 2021-10-26
• 發明（設計）人: 陳偉偉
• 申請（專利權）人: 廣州國顯科技有限公司
• 主分類號: G06F3/044
• 分類號: G06F3/044
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 周耀君

本發明提供一種導電膜結構及其制作方法、觸控面板。在該導電膜結構制作方法中，首先在基底上形成納米金屬層與透明膜層，然后在所述透明膜層內形成多個凹槽并暴露出所述納米金屬層，然后在所述凹槽內以及所述透明膜層上形成增粘層，所述增粘層通過所述凹槽與所述納米金屬層接觸，能夠減少納米金屬層中增粘層的滲入，又能保證增粘層發揮粘附性以及阻擋UV的功能，從而提高導電膜結構的導電性。

技術領域

本發明涉及觸控技術領域，具體涉及一種導電膜結構及其制作方法、觸控面板。

背景技術

觸控設備因其便于操作、成像效果好、功能多元化等優點逐漸受到電子通訊行業的青睞，并廣泛應用于資訊系統設備、家電設備、通訊設備、個人便攜設備等產品上。而伴隨近年來觸控面板在通訊行業的迅速崛起，特別是在手機通訊行業的蓬勃發展，觸控面板一舉成為現今成像顯示設備的首選產品。使用率最高的觸控面板主要是電阻式觸控面板和電容式觸控面板，但是使用者出于可控性，易用性和表面外觀的考慮，大多會選用電容式觸控面板作為其最佳首選設備。

在傳統智能手機的電容式觸控面板中，觸控電極的材料通常為氧化銦錫(簡稱為ITO)。ITO的透光率很高，導電性能較好。但隨著觸控面板尺寸的逐步增大，特別是應用于15寸以上的面板時，ITO的缺陷越來越突出，其中最明顯的缺陷就是ITO的面電阻過大，價格昂貴，無法保證大尺寸觸控面板良好的導電性能與足夠的靈敏度，也無法適用于電子產品不斷低價化的發展趨勢。

正因如此，產業界一直在致力于開發ITO的替代材料，其中納米銀線(silvernanowires，簡稱SNW)作為一種新興材料開始替代ITO成為優選的導電材料。納米銀線具有銀優良的導電性，同時由于其納米級別的尺寸效應，使得其具有優異的透光性與耐曲撓性，因此可用作替代ITO作為觸控電極的材料，實現基于納米銀線的觸控面板。

然而，納米銀線與柔性基底如PI的粘附能力較差，需要使用over coater(簡稱OC)作為介質，OC從納米銀線縫隙滲入納米銀線后增加其粘附性，但伴隨而來的是其整體的導電性變差，無法達到使用納米銀線預期的效果。

發明內容

本發明的目的在于提供一種導電膜結構及其制作方法、觸控面板，解決形成OC層后導電性能不足的問題。

為實現上述目的，本發明提供一種導電膜結構的制作方法，包括：

提供一基底，在所述基底上依次形成納米金屬層與透明膜層；

形成多個凹槽，所述凹槽位于所述透明膜層內且暴露出部分所述納米金屬層；以及，

形成增粘層，所述增粘層填滿所述凹槽并覆蓋所述透明膜層。

可選的，形成多個凹槽的步驟包括：

在所述透明膜層上形成一光刻膠層；

圖形化所述光刻膠層；

以圖形化的所述光刻膠層為掩膜，刻蝕所述透明膜層至暴露出部分所述納米金屬層，以形成多個凹槽；以及，

去除圖形化的所述光刻膠層。

可選的，在刻蝕形成所述凹槽的過程中，刻蝕所述透明膜層之后還包括：對所述納米金屬層進行刻蝕至暴露出部分所述基底。

可選的，所述凹槽均勻分布于所述透明膜層內。

可選的，所述納米金屬層的材質包含納米銀線，所述增粘層的材質包含OC，所述透明膜層的材質包含氧化硅或ITO。

相應的，本發明還提供一種導電膜結構，包括：

依次位于所述基底上的納米金屬層、透明膜層以及增粘層，其中，所述增粘層通過凹槽嵌入所述透明膜層內，并與所述納米金屬層相接觸。

可選的，所述凹槽的底部暴露出所述納米金屬層。