[發明專利]發光二極管封裝件在審
| 申請號： | 201810698176.7 | 申請日： | 2017-05-22 |
| 公開（公告）號： | CN108511580A | 公開（公告）日： | 2018-09-07 |
| 發明（設計）人： | 金赫駿;李亨根 | 申請（專利權）人： | 首爾半導體株式會社 |
| 主分類號： | H01L33/48 | 分類號： | H01L33/48;H01L33/58;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人： | 李盛泉;孫昌浩 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 引線部件 發光二極管封裝件 反射面 引線框架 上表面 反射 發光二極管芯片 外殼內側壁 發光效率 延伸 隔開 貼裝 支撐 | ||
1.一種發光二極管封裝件，其特征在于，包括：
引線框架，包括相互隔開的第1引線部件及第2引線部件；
外殼，支撐所述引線框架，并使所述第1引線部件及第2引線部件中的任意一個以上的上表面一部分露出；及
發光二極管芯片，貼裝于所述外殼的露出區域，
所述外殼包括：形成于上端的上端面；第1反射面，從所述外殼的外側上端向內側方向向下傾斜地形成；第2反射面，從所述第1反射面傾斜地延伸至所露出的第1引線部件及第2引線部件中的任意一個的上表面，
在所述上端面和所述第一反射面之間形成階梯差。
2.根據權利要求1所述的發光二極管封裝件，其特征在于，
所述第2反射面的傾斜角度大于所述第1反射面的傾斜角度。
3.根據權利要求2所述的發光二極管封裝件，其特征在于，
所述第2反射面的高度低于所述發光二極管芯片的高度。
4.根據權利要求1所述的發光二極管封裝件，其特征在于，
所述發光二極管芯片包括：
n型半導體層；
p型半導體層；及
介于所述n型半導體層及p型半導體層之間的活性層，
所述第2反射面的高度低于所述活性層的高度。
5.根據權利要求1所述的發光二極管封裝件，其特征在于，
所述外殼的上端面中，所述殼體的側面側的寬度和拐角側的寬度彼此不同。
6.一種發光二極管封裝件，其特征在于，包括
引線框架，包括相互隔開的第1引線部件及第2引線部件；
外殼，支撐所述引線框架，并使所述第1引線部件及第2引線部件中的任意一個以上的上表面一部分露出；及
發光二極管芯片，貼裝于所述外殼的露出區域，
并且包括：第1反射面，從所述外殼的外側上端向內側方向向下傾斜地形成；第2反射面，從所述第1反射面傾斜地延伸至所露出的第1引線部件及第2引線部件中的任意一個的上表面，
所述第2反射面的高度低于所述發光二極管芯片的高度。
7.根據權利要求6所述的發光二極管封裝件，其特征在于，
所述第2反射面的傾斜角度大于所述第1反射面的傾斜角度。
8.根據權利要求6所述的發光二極管封裝件，其特征在于，
所述第2反射面的高度為50μm至300μm。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于首爾半導體株式會社，未經首爾半導體株式會社許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810698176.7/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種面光源的制造方法
- 下一篇：一種多層封裝量子點的LED涂層及其制備方法
