[發明專利]校準片及基于該校準片對固態微波器件測試系統校準的方法

在審

• 申請號: 201810695769.8
• 申請日: 2018-06-29
• 公開（公告）號: CN109061534A
• 公開（公告）日: 2018-12-21
• 發明（設計）人: 殷玉喆;溫禮瑞;張旭勤
• 申請（專利權）人: 中國電子技術標準化研究院
• 主分類號: G01R35/00
• 分類號: G01R35/00
• 代理公司: 工業和信息化部電子專利中心 11010
• 代理人: 于金平

1.一種大駐波比的校準片，其特征在于，包括：共面波導型平衡電橋結構和微帶電路型平衡電橋結構；

所述共面波導型平衡電橋結構和所述微帶電路型平衡電橋結構內均設置中間島；

所述中間島，水平方向，分別通過兩個水平薄膜電阻與微波輸入輸出信號線連接，垂直方向，分別通過兩個垂直薄膜電阻與共面波導地或微帶地連接；

通過調整水平薄膜電阻與垂直薄膜電阻的比值r得到大駐波比的校準片。

2.根據權利要求1所述的校準片，其特征在于，

所述水平薄膜電阻采用蛇形布線，以使水平薄膜電阻與垂直薄膜電阻的比值r大于4:1；

和/或，

所述垂直薄膜電阻為預設寬度的多個并聯的薄膜電阻，該薄膜電阻被分割為多段并聯的薄膜電阻，以使水平薄膜電阻與垂直薄膜電阻的比值r小于1:4。

3.根據權利要求1所述的校準片，其特征在于，

所述中間島為一個金屬區域。

4.根據權利要求2所述的校準片，其特征在于，所述水平薄膜電阻采用蛇形布線，具體包括：

所述中間島與信號線之間的水平薄膜電阻為彎曲的折線設置。

5.根據權利要求2所述的校準片，其特征在于，

所述多個并聯的薄膜電阻之間間隔預定寬度的空隙。

6.根據權利要求1或2所述的校準片，其特征在于，還包括：

對所述標準片進行同軸封裝。

7.根據權利要求6所述的校準片，其特征在于，所述對所述標準片進行同軸封裝，具體包括：

將標準樣片焊接到微帶電路上，經微帶電路進行阻抗匹配后連接封裝腔體的同軸接頭。

8.一種對固態微波器件測試系統進行校準方法，其特征在于，所述方法應用權利要求1-7中任意一項所述的標準片對固態微波器件測試系統進行校準；

所述固態微波器件測試系統包括對裸芯片的片測試系統，以及針對封裝后器件的同軸或波導測試系統。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，

所述校準方法包括對所述固態微波器件測試系統進行基波及諧波調配范圍校準方法、插入損耗校準方法、矢量一致性校準方法、諧波串擾校準方法和駐波比測試校準方法。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，

所述基波及諧波調配范圍校準方法包括：將阻抗調配器的基波、諧波都設置為最大反射系數狀態；

所述插入損耗校準方法，通過在比較系統中插入阻抗調配器，以及未插入阻抗調配器，對校準片的測量結果進行校準；

所述矢量一致性校準方法，將系統中的阻抗調配器設置為VSWR≥4的大駐波比狀態下進行校準；

所述諧波串擾校準方法，在系統中的阻抗調配器基波和諧波均設置為VSWR≥4的大駐波比狀態，通過掃描諧波相位進行校準；

所述駐波比校準方法，通過比較插入阻抗調配器，以及未插入阻抗調配器，大駐波比校準片或大駐波比同軸校準件的測量結果進行校準。