[發明專利]在電子芯片中的半導體區域的制作

有效

• 申請號: 201810691907.5
• 申請日: 2018-06-28
• 公開（公告）號: CN109216281B
• 公開（公告）日: 2023-05-23
• 發明（設計）人: F·朱利恩
• 申請（專利權）人: 意法半導體(魯塞)公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L27/092;H10B41/30
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;董典紅

1.一種用于制造半導體器件的方法，所述方法包括：

用第一氮化硅層覆蓋半導體襯底的第一區域和第二區域；

用能夠相對于氮化硅被選擇性地蝕刻的保護層覆蓋所述半導體襯底的所述第一區域；

在所述保護層上方形成第二氮化硅層；

蝕刻穿過所述第二氮化硅層和所述第一氮化硅層、并進入所述半導體襯底中的溝槽；

用填充氧化物填充所述溝槽至所述保護層的上表面之上的水平；

選擇性地去除被布置在所述第二區域上方的所述第二氮化硅層和所述第一氮化硅層；

去除所述保護層；

通過濕法蝕刻選擇性地蝕刻所述填充氧化物，使得凹坑形成在所述第二區域周圍的所述填充氧化物的表面上；和

選擇性地去除被布置在所述第一區域上方的所述第一氮化硅層。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述保護層包括第一氧化硅層。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，所述保護層通過所述濕法蝕刻被選擇性地去除。

4.根據權利要求1所述的方法，還包括：在選擇性地去除被布置在所述第一區域上方的所述第一氮化硅層之后執行清潔步驟。

5.根據權利要求4所述的方法，還包括：在用所述第一氮化硅層覆蓋所述半導體襯底之前形成第二氧化硅層，所述第二氧化硅層通過所述清潔步驟被去除。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，填充所述溝槽包括：

用所述填充氧化物填充所述溝槽至所述第二氮化硅層之上的水平；

化學機械拋光位于所述第二區域上方的所述第二氮化硅層的部分之上的所述填充氧化物的部分；和

選擇性地蝕刻所述填充氧化物。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，填充所述溝槽包括：用填充氧化硅填充所述溝槽至所述保護層的上表面之上的2nm至15nm之間的水平。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，在填充所述溝槽之后，所述第一區域上方的所述第二氮化硅層具有在30nm和100nm之間的厚度。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，所述保護層具有在2nm至20nm之間的厚度。

10.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：在選擇性地去除所述第二氮化硅層之前、并且在去除所述保護層且選擇性地蝕刻所述填充氧化物之后，執行熱氧化以在所述第二區域上形成第三氧化硅層。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，當去除所述保護層時，所述第三氧化硅層被去除。

12.根據權利要求1所述的方法，其中，所述半導體襯底是SOI結構的上半導體層。

13.根據權利要求1所述的方法，其中，所述半導體襯底是體襯底。

14.根據權利要求1所述的方法，還包括：在所述第一區域中和所述第一區域上形成N溝道晶體管，以及在所述第二區域中和所述第二區域上形成P溝道晶體管。

15.根據權利要求14所述的方法，還包括：在用所述第一氮化硅層覆蓋所述半導體襯底之前，用p型摻雜劑摻雜所述第一區域以及用n型摻雜劑摻雜所述第二區域。