[發明專利]排氣裝置及干法刻蝕設備

在審

• 申請號: 201810690779.2
• 申請日: 2018-06-28
• 公開（公告）號: CN109087869A
• 公開（公告）日: 2018-12-25
• 發明（設計）人: 宋德偉
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/306
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 鐘子敏

本申請公開了一種排氣裝置及干法刻蝕設備，排氣裝置包括排氣泵和排氣腔體，排氣腔體中空且為一框體，排氣泵連通排氣腔體的中空部分，框體于待刻蝕件的放置位置的周邊設置，框體的表面形成有多個排氣孔，排氣泵通過排氣腔體排出待刻蝕件周圍的氣體。本申請通過將排氣腔體于待刻蝕件的放置位置的周邊設置，且框體表面包括多個排氣孔，通過排氣泵從排氣腔體中排氣，進而使得氣體從待刻蝕件四周的多個排氣孔中均勻排出。本申請使得待刻蝕件的四周氣體流速均勻，保持刻蝕均一性，進而避免刻蝕殘留。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，特別是涉及一種排氣裝置及干法刻蝕設備。

背景技術

隨著半導體技術的發展，屏幕顯示技術對半導體制造工藝的要求越來越高，干法刻蝕技術在其中扮演者不可或缺的角色，同時對干法刻蝕設備要提出了較高的要求。干法刻蝕是用等離子體進行薄膜刻蝕的技術。當氣體以等離子體形式存在時，它具備兩個特點:一方面等離子體中的這些氣體化學活性比常態下時要強很多，根據被刻蝕材料的不同，選擇合適的氣體，就可以更快地與材料進行反應，實現刻蝕去除的目的；另一方面，還可以利用電場對等離子體進行引導和加速，使其具備一定能量，當其轟擊被刻蝕物的表面時，會將被刻蝕物材料的原子擊出，從而達到利用物理上的能量轉移來實現刻蝕的目的。因此，干法刻蝕是晶圓片表面物理和化學兩種過程平衡的結果。

目前的干法刻蝕設備一般采用點抽氣，容易造成腔室內部四角出現刻蝕速率偏大/偏小的情況，導致刻蝕均一性惡化，進而出現刻蝕殘留。特別是柵級電極和源漏電極，此兩道金屬工藝對工藝要求極高，目前的干法刻蝕設備無法滿足要求。

也就是說，現有技術中會出現待刻蝕件的四周氣體流速不均勻，導致刻蝕均一性惡化，進而出現刻蝕殘留。

發明內容

本申請主要解決的技術問題是提供一種排氣裝置及干法刻蝕設備，能夠使得待刻蝕件的四周氣體流速均勻，保持刻蝕均一性，進而避免刻蝕殘留。

為解決上述技術問題，本申請采用的一個技術方案是：提供一種排氣裝置，包括排氣泵和排氣腔體，排氣腔體中空且為一框體，排氣泵連通排氣腔體的中空部分，框體于待刻蝕件的放置位置的周邊設置，框體的表面形成有多個排氣孔，排氣泵通過排氣腔體排出待刻蝕件周圍的氣體。

其中，排氣腔體為一矩形框體，矩形框體包括4個相互獨立的L型排氣模塊，4個L型排氣模塊的端部相互貼合以形成矩形框體，4個L型排氣模塊分別與4個分子泵連通。

其中，排氣孔位于框體的上表面，且排氣孔呈矩陣分布。

其中，至少部分排氣孔處設有排氣閥門，排氣閥門通過調節閥門開度進而調節排氣孔的排氣速率。

其中，排氣孔的表面設有氣壓感應裝置，氣壓感應裝置通過感應排氣孔表面的氣壓對排氣閥門的閥門開度進行控制，進而控制排氣孔的排氣速率。

其中，排氣腔體為一矩形框體，矩形框體包括4個相互獨立的直線型排氣模塊，4個直線型排氣模塊的端部相互貼合以形成矩形框體，4個直線型排氣模塊分別與4個分子泵連接。

其中，排氣孔的形狀為圓形、橢圓形、三角形、多邊形、正方形或矩形中的任一種。

其中，排氣孔的開口面積相等。

其中，框體的截面為圓形、橢圓形、三角形、多邊形、正方形或矩形中的任一種。

為解決上述技術問題，本申請采用的另一個技術方案是：提供一種干法刻蝕設備，包括反應腔體和以上任一所述的排氣裝置，排氣裝置位于反應腔體內，排氣裝置中的排氣泵一端與排氣腔體連通，另一端與反應腔體的出氣口連通，以將反應腔體中的氣體排出。