[發明專利]排氣裝置及干法刻蝕設備在審
| 申請號: | 201810690779.2 | 申請日: | 2018-06-28 |
| 公開(公告)號: | CN109087869A | 公開(公告)日: | 2018-12-25 |
| 發明(設計)人: | 宋德偉 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/306 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 鐘子敏 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 排氣腔體 刻蝕件 排氣泵 排氣裝置 排氣孔 框體 干法刻蝕設備 放置位置 周邊設置 中空 刻蝕 排出 申請 表面形成 框體表面 氣體流速 均一性 排氣 連通 殘留 | ||
1.一種排氣裝置,其特征在于,包括排氣泵和排氣腔體,所述排氣腔體中空且為一框體,所述排氣泵連通所述排氣腔體的中空部分,所述框體于待刻蝕件的放置位置的周邊設置,所述框體的表面形成有多個排氣孔,所述排氣泵通過所述排氣腔體排出所述待刻蝕件周圍的氣體。
2.根據權利要求1所述的排氣裝置,其特征在于,所述排氣腔體為一矩形框體,所述矩形框體包括4個相互獨立的L型排氣模塊,4個所述L型排氣模塊的端部相互貼合以形成所述矩形框體,4個所述L型排氣模塊分別與4個分子泵連通。
3.根據權利要求1所述的排氣裝置,其特征在于,所述排氣孔位于所述框體的上表面,且所述排氣孔呈矩陣分布。
4.根據權利要求1所述的排氣裝置,其特征在于,至少部分所述排氣孔處設有排氣閥門,所述排氣閥門通過調節閥門開度進而調節所述排氣孔的排氣速率。
5.根據權利要求4所述的排氣裝置,其特征在于,所述排氣孔的表面設有氣壓感應裝置,所述氣壓感應裝置通過感應所述排氣孔表面的氣壓對所述排氣閥門的閥門開度進行控制,進而控制所述排氣孔的排氣速率。
6.根據權利要求1所述的排氣裝置,其特征在于,所述排氣腔體為一矩形框體,所述矩形框體包括4個相互獨立的直線型排氣模塊,4個所述直線型排氣模塊的端部相互貼合以形成所述矩形框體,4個所述直線型排氣模塊分別與4個分子泵連接。
7.根據權利要求1所述的排氣裝置,其特征在于,所述排氣孔的形狀為圓形、橢圓形、三角形、多邊形、正方形或矩形中的任一種。
8.根據權利要求1所述的排氣裝置,其特征在于,所述排氣孔的開口面積相等。
9.根據權利要求1所述的排氣裝置,其特征在于,所述框體的截面為圓形、橢圓形、三角形、多邊形、正方形或矩形中的任一種。
10.一種干法刻蝕設備,其特征在于,包括反應腔體和權利要求1-9任一所述的排氣裝置,所述排氣裝置位于所述反應腔體內,所述排氣裝置中的排氣泵一端與排氣腔體連通,另一端與所述反應腔體的出氣口連通,以將所述反應腔體中的氣體排出。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





