[發明專利]氣浴腔結構、氣浴裝置及光刻設備有效
| 申請號: | 201810690346.7 | 申請日: | 2018-06-28 |
| 公開(公告)號: | CN110658682B | 公開(公告)日: | 2021-04-02 |
| 發明(設計)人: | 戴思雨;趙建軍 | 申請(專利權)人: | 上海微電子裝備(集團)股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20 |
| 代理公司: | 上海思捷知識產權代理有限公司 31295 | 代理人: | 王宏婧 |
| 地址: | 201203 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氣浴腔 結構 裝置 光刻 設備 | ||
1.一種氣浴腔結構,其特征在于,所述氣浴腔結構包括孔板和楔形的氣浴腔,所述孔板設置于所述氣浴腔內,將所述氣浴腔分隔為若干靜壓腔,所述氣浴腔包括一斜面和一出風面,所述斜面與所述出風面相對,所述氣浴腔的進風口設置于兩端分別與所述斜面和所述出風面相連接的側面;所述孔板以預定的傾角設置于所述氣浴腔內,所述傾角為所述孔板與垂直于所述出風面的方向之間的夾角,所述孔板的數量至少為3個,從靠近所述氣浴腔的進風口的一側至遠離所述氣浴腔的進風口的一側,至少3個所述孔板的傾角依次遞增。
2.如權利要求1所述的氣浴腔結構,其特征在于,所述出風面所在平面與所述斜面的夾角大于arctg0.05。
3.如權利要求1所述的氣浴腔結構,其特征在于,所述傾角的范圍為12°-30°。
4.如權利要求1所述的氣浴腔結構,其特征在于,所述孔板為3個,依次為第一孔板、第二孔板和第三孔板;所述第一孔板設置于所述氣浴腔的進風口處;所述第一孔板的傾角范圍為12°-18°,所述第二孔板的傾角范圍為20°-25°,所述第三孔板的傾角范圍為25°-30°。
5.如權利要求1-4中任一項所述的氣浴腔結構,其特征在于,所述孔板的開孔率范圍為20%-40%。
6.如權利要求4所述的氣浴腔結構,其特征在于,所述第一孔板的開孔率范圍為20%-30%,所述第二孔板的開孔率范圍為35%-40%,所述第三孔板的開孔率范圍為35%-40%。
7.如權利要求5所述的氣浴腔結構,其特征在于,所述出風面所在平面與所述斜面的夾角的正切值與所述孔板的開孔率的乘積范圍為0.01-0.03。
8.一種氣浴裝置,其特征在于,所述氣浴裝置包括進風管道和如權利要求1至7中任一項所述的氣浴腔結構;所述進風管道與所述氣浴腔的進風口連接。
9.如權利要求8所述的氣浴裝置,其特征在于,所述氣浴裝置還包括過濾器,所述過濾器設置于所述氣浴腔的出風面。
10.一種光刻設備,其特征在于,包括如權利要求1-7中任一項所述的氣浴腔結構。
11.一種光刻設備,其特征在于,包括如權利要求8-9中任一項所述的氣浴裝置。
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