[發明專利]半導體器件及其形成方法

有效

• 申請號: 201810688284.6
• 申請日: 2018-06-28
• 公開（公告）號: CN109585554B
• 公開（公告）日: 2022-04-19
• 發明（設計）人: 高琬貽;柯忠祁
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/331
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導體器件，包括：

襯底上的有源區，所述有源區包括源極/漏極區域；

柵極結構，位于所述有源區上方，所述源極/漏極區域靠近所述柵極結構；

間隔件部件，具有沿著所述柵極結構的側壁的第一部分并且具有沿著所述源極/漏極區域的第二部分，其中，所述間隔件部件的第一部分包括沿著所述柵極結構的側壁的塊狀間隔件層，其中，所述間隔件部件的第二部分包括所述塊狀間隔件層和處理的密封間隔件層，所述處理的密封間隔件層沿著所述源極/漏極區域設置并且位于所述塊狀間隔件層和所述源極/漏極區域之間；以及

接觸蝕刻停止層，位于所述間隔件部件上，

其中，所述處理的密封間隔件層具有比所述塊狀間隔件層更大的膜密度。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

層間介電層，位于所述接觸蝕刻停止層上。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述塊狀間隔件層具有小于4的介電常數。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述塊狀間隔件層是不含氮的碳氧化硅材料。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述處理的密封間隔件層具有大于所述塊狀間隔件層的介電常數。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述源極/漏極區域在所述間隔件部件之上延伸。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述柵極結構包括設置在高介電常數層上的金屬柵電極。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述接觸蝕刻停止層是含氮化硅的材料。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述塊狀間隔件層具有大于所述處理的密封間隔件層的厚度。

10.一種用于形成半導體器件的方法，包括：

通過使用第一工藝氣體的第一原子層沉積工藝在襯底上形成密封間隔件層；

通過第二工藝氣體等離子體處理所述密封間隔件層以形成處理的密封間隔件層，其中，所述第一工藝氣體與所述第二工藝氣體不同；

通過使用所述第一工藝氣體的第二原子層沉積工藝在所述處理的密封間隔件層上形成塊狀間隔件層；以及

沿著柵極結構的側壁將所述處理的密封間隔件層和所述塊狀間隔件層圖案化成柵極間隔件部件，

其中，所述處理的密封間隔件層具有比所述塊狀間隔件層更大的膜密度。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，等離子體處理所述密封間隔件層還包括：

通過將微波功率施加至放置所述襯底的等離子體工藝室來形成所述第二工藝氣體的等離子體。

12.根據權利要求10所述的方法，其中，所述第一工藝氣體包括含硅和碳前體和含氧前體。

13.根據權利要求12所述的方法，其中，所述含硅和碳前體是不含氮的含硅和碳前體。

14.根據權利要求12所述的方法，其中，所述含氧前體包括水蒸氣。

15.根據權利要求12所述的方法，其中，所述含硅和碳前體具有線性Si-C-Si鍵合結構。

16.根據權利要求10所述的方法，其中，所述塊狀間隔件層具有大于所述處理的密封間隔件層的厚度。

17.根據權利要求10所述的方法，其中，所述第二工藝氣體包括含氫氣體、惰性氣體或它們的組合。