[發明專利]一種具有氮化鎵器件的電路

在審

• 申請號: 201810684731.0
• 申請日: 2018-06-27
• 公開（公告）號: CN110649892A
• 公開（公告）日: 2020-01-03
• 發明（設計）人: 夏勤
• 申請（專利權）人: 陜西亞成微電子股份有限公司
• 主分類號: H03F1/02
• 分類號: H03F1/02;H03F1/52;H03F3/193;H03F3/26;H03F3/45
• 代理公司: 11429 北京中濟緯天專利代理有限公司
• 代理人: 覃婧嬋

一種具有氮化鎵器件的電路，至少包括：第一差分放大單元，第一、第二輸入端，和第一、第二輸出端，和電源端，以及接地端；第一差分放大單元包括第一、第二氮化鎵場效應晶體管，第一、第二電阻，以及第一氮化鎵恒流源單元；各個氮化鎵場效應晶體管的漏極經由對應阻性單元與電源端連接，漏極還連接輸出端；第一氮化鎵場效應晶體管的源極與第二氮化鎵場效應晶體管的源極相連，并共接于第一氮化鎵恒流源單元的一端，恒流源單元的另一端連接接地端；各個氮化鎵場效應晶體管的柵極連接輸入端。本公開以氮化鎵器件為主，能夠實現高頻或超高頻的有關電路，例如差分放大電路，或者更進一步的比較器、振蕩器、穩壓器等。

技術領域

本公開涉及電路領域，特別涉及一種具有氮化鎵器件的電路。

背景技術

在民用移動電話、無線通信領域，或者軍事用途的通信領域，高頻乃至超高頻的信號傳輸越來越廣泛。隨著頻率的提升，對相關電路的設計提出了越來越嚴格的要求。

如何有效應對高頻乃至超高頻的各種應用場景，成為電路領域亟待解決的技術問題。

發明內容

為解決上述技術問題，本公開提出了一種具有氮化鎵器件的電路，至少包括：

第一差分放大單元，第一、第二輸入端，和第一、第二輸出端，和電源端，以及接地端；

所述第一差分放大單元包括第一氮化鎵場效應晶體管、第二氮化鎵場效應晶體管、第一電阻、第二電阻、第一氮化鎵恒流源單元，其中：

第一氮化鎵場效應晶體管的漏極與第一電阻的一端串聯形成第一氮化鎵支路，第二氮化鎵場效應晶體管的漏極與第二電阻的一端串聯形成第二氮化鎵支路；并且：所述第一、第二電阻的另一端均與電源端連接；

第一氮化鎵場效應晶體管的源極與第二氮化鎵場效應晶體管的源極相連，并共同連接于所述第一氮化鎵恒流源單元的一端，所述第一氮化鎵恒流源單元的另一端則連接所述接地端；

第一氮化鎵場效應晶體管的柵極連接所述第一輸入端，第二氮化鎵場效應晶體管的柵極連接所述第二輸入端；

第一氮化鎵場效應晶體管的漏極連接所述第一輸出端，第二氮化鎵場效應晶體管的漏極連接所述第二輸出端。

優選的，

所述第一、第二電阻包括如下：高壓電阻或薄膜電阻，或深層電阻。

優選的，

所述電路中至少兩個氮化鎵場效應晶體管采用復合型的氮化鎵材料，包括D型氮化鎵和E型氮化鎵。

優選的，

所述第一氮化鎵場效應晶體管、第二氮化鎵場效應晶體管包括增強型器件或耗盡型器件。

優選的，

所述電路用作穩壓器，或比較器，或放大器，或振蕩器。

優選的，所述電路還包括：

第二級放大單元，其包括第二保護單元和第三差分放大單元，并且：

所述第三差分放大單元與第一差分放大單元的具有相同的拓撲結構；

所述第一差分放大單元的第一、第二輸出端與第二保護單元的輸入連接，所述第二保護單元的輸出進一步與第三差分放大單元的第一、第二輸入端連接，其中，第二保護單元用于防止第三差分放大單元中的器件損壞；

所述第三差分放大單元的第一、第二輸出端連接后級。

優選的，

所述后級為第四輸出單元或第三級放大單元；