[發(fā)明專利]一種具有氮化鎵器件的電路

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810684731.0
• 申請日: 2018-06-27
• 公開（公告）號: CN110649892A
• 公開（公告）日: 2020-01-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 夏勤
• 申請（專利權(quán)）人: 陜西亞成微電子股份有限公司
• 主分類號: H03F1/02
• 分類號: H03F1/02;H03F1/52;H03F3/193;H03F3/26;H03F3/45
• 代理公司: 11429 北京中濟緯天專利代理有限公司
• 代理人: 覃婧嬋

1.一種具有氮化鎵器件的電路，至少包括：

第一差分放大單元，第一、第二輸入端，和第一、第二輸出端，和電源端，以及接地端；

所述第一差分放大單元包括第一氮化鎵場效應(yīng)晶體管、第二氮化鎵場效應(yīng)晶體管、第一電阻、第二電阻、第一氮化鎵恒流源單元，其中：

第一氮化鎵場效應(yīng)晶體管的漏極與第一電阻的一端串聯(lián)形成第一氮化鎵支路，第二氮化鎵場效應(yīng)晶體管的漏極與第二電阻的一端串聯(lián)形成第二氮化鎵支路；并且：所述第一、第二電阻的另一端均與電源端連接；

第一氮化鎵場效應(yīng)晶體管的源極與第二氮化鎵場效應(yīng)晶體管的源極相連，并共同連接于所述第一氮化鎵恒流源單元的一端，所述第一氮化鎵恒流源單元的另一端則連接所述接地端；

第一氮化鎵場效應(yīng)晶體管的柵極連接所述第一輸入端，第二氮化鎵場效應(yīng)晶體管的柵極連接所述第二輸入端；

第一氮化鎵場效應(yīng)晶體管的漏極連接所述第一輸出端，第二氮化鎵場效應(yīng)晶體管的漏極連接所述第二輸出端。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的電路，其中：優(yōu)選的，

所述第一、第二電阻包括如下：高壓電阻或薄膜電阻，或深層電阻。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的電路，其中：

所述電路中至少包括D型氮化鎵和E型氮化鎵場效應(yīng)晶體管。

4.根據(jù)權(quán)利要求1的電路，其中：

所述第一氮化鎵場效應(yīng)晶體管、第二氮化鎵場效應(yīng)晶體管包括增強型器件或耗盡型器件。

5.根據(jù)權(quán)利要求1的電路，其中：

所述電路用作穩(wěn)壓器，或比較器，或放大器，或振蕩器。

6.根據(jù)權(quán)利要求1的電路，其中，所述電路還包括：

第二級放大單元，其包括第二保護單元和第三差分放大單元，并且：

所述第三差分放大單元與第一差分放大單元的具有相同的拓撲結(jié)構(gòu)；

所述第一差分放大單元的第一、第二輸出端與第二保護單元的輸入連接，所述第二保護單元的輸出進一步與第三差分放大單元的第一、第二輸入端連接，其中，第二保護單元用于防止第三差分放大單元中的器件損壞；

所述第三差分放大單元的第一、第二輸出端連接后級。

7.根據(jù)權(quán)利要求6的電路，其中：

所述后級為第四輸出單元或第三級放大單元；

當(dāng)所述后級為第四輸出單元時，所述第二級放大單元中的第三差分放大單元的第一、第二輸出端連接第四輸出單元的輸入，且第四輸出單元具有一個輸出端，所述第四輸出單元的輸出端用于連接負載；

當(dāng)所述后級為第三級放大單元時，所述第三級放大單元包括第四保護單元和第五差分放大單元，并且所述第三級放大單元與第二級放大單元具有相同的拓撲結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7的電路，其中，所述電路還包括：

所述第四輸出單元的輸出端還經(jīng)由第一反饋單元而進一步連接至第一差分放大單元的第二輸入端。

9.根據(jù)權(quán)利要求7的電路，其中：

所述第四輸出單元包括如下任一輸出結(jié)構(gòu)：推挽式輸出或源跟隨器。