[發(fā)明專利]VDMOS及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810683880.5
• 申請(qǐng)日: 2018-06-28
• 公開（公告）號(hào): CN110660658B
• 公開（公告）日: 2022-02-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王學(xué)良;劉建華;袁志巧;閔亞能
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/266
• 分類號(hào): H01L21/266;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種VDMOS的制造方法，其特征在于，所述VDMOS包括內(nèi)置的續(xù)流二極管，所述續(xù)流二極管包括相鄰的p型摻雜區(qū)和n型摻雜區(qū)，所述VDMOS在半導(dǎo)體襯底基片上制造，所述半導(dǎo)體襯底基片具有第一主面和第二主面，所述第一主面設(shè)置有第一目標(biāo)摻雜區(qū)，所述第二主面設(shè)置有第二目標(biāo)摻雜區(qū)，所述第一目標(biāo)摻雜區(qū)與所述第二目標(biāo)摻雜區(qū)相鄰，所述第一目標(biāo)摻雜區(qū)為用于制作所述p型摻雜區(qū)的區(qū)域，所述第二目標(biāo)摻雜區(qū)為用于制作所述n型摻雜區(qū)的區(qū)域，所述VDMOS的制造方法包括以下步驟： 向所述第一目標(biāo)摻雜區(qū)中摻雜p型雜質(zhì)離子，以形成所述p型摻雜區(qū)； 向所述第二目標(biāo)摻雜區(qū)中注入氫離子，以形成所述n型摻雜區(qū)和復(fù)合中心，所述復(fù)合中心用于降低所述續(xù)流二極管的臨界飽和電壓以及加速所述續(xù)流二極管的反向恢復(fù)時(shí)間；

其中，所述n型摻雜區(qū)為所述續(xù)流二極管的n型區(qū)，且在所述續(xù)流二極管的所述n型區(qū)中形成所述復(fù)合中心。

2.如權(quán)利要求1所述的VDMOS的制造方法，其特征在于，在向所述第二目標(biāo)摻雜區(qū)中注入氫離子，以形成所述n型摻雜區(qū)和復(fù)合中心的步驟之前，所述VDMOS的制造方法還包括以下步驟： 在所述半導(dǎo)體襯底基片的表面設(shè)置掩膜，所述掩膜包括阻擋區(qū)和透射區(qū)，所述阻擋區(qū)用于阻擋所述氫離子注入所述半導(dǎo)體襯底基片；所述透射區(qū)用于供氫離子穿過，以注入所述半導(dǎo)體襯底基片。

3.如權(quán)利要求1所述的VDMOS的制造方法，其特征在于，在向所述第二目標(biāo)摻雜區(qū)中注入氫離子，以形成所述n型摻雜區(qū)和復(fù)合中心的步驟之后，所述VDMOS的制造方法還包括以下步驟： 對(duì)所述續(xù)流二極管的n型摻雜區(qū)進(jìn)行電子輻照。

4.如權(quán)利要求1所述的VDMOS的制造方法，其特征在于，向所述第二目標(biāo)摻雜區(qū)中注入氫離子，以形成所述n型摻雜區(qū)和復(fù)合中心的過程中，對(duì)所述續(xù)流二極管的n型摻雜區(qū)退火，以在所述續(xù)流二極管的n型摻雜區(qū)內(nèi)形成所述復(fù)合中心。

5.如權(quán)利要求4所述的VDMOS的制造方法，其特征在于，所述退火步驟采用爐管退火，退火溫度為200-400攝氏度，退火時(shí)間為1-5小時(shí)。

6.如權(quán)利要求2所述的VDMOS的制造方法，其特征在于，所述掩膜包括聚酰亞胺樹脂掩膜，或鋁掩膜，或氮化硅掩膜。

7.如權(quán)利要求6所述的VDMOS的制造方法，其特征在于，所述掩膜的厚度為2-100微米。

8.如權(quán)利要求4所述的VDMOS的制造方法，其特征在于，所述退火步驟采用激光退火。

9.如權(quán)利要求1所述的VDMOS的制造方法，其特征在于，所述p型雜質(zhì)離子包括鋁離子或鎵離子或硼離子。

10.一種VDMOS，其特征在于，所述VDMOS利用如權(quán)利要求1-9中任意一項(xiàng)所述的VDMOS的制造方法制造。