[發明專利]一種陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示面板

在審

• 申請號: 201810680861.7
• 申請日: 2018-06-27
• 公開（公告）號: CN108807424A
• 公開（公告）日: 2018-11-13
• 發明（設計）人: 黃奔
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/13;G02F1/1362
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 鐘子敏

1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一襯底；

在所述襯底上依次設置第一柵極絕緣層、薄膜層、第二柵極絕緣層和柵極金屬層，所述薄膜層材料不同于所述第二柵極絕緣層材料；

依次對所述柵極金屬層和所述第二柵極絕緣層進行圖案化蝕刻，并在蝕刻過程中檢測是否蝕刻到所述薄膜層；

如果蝕刻到所述薄膜層，則停止蝕刻，以避免所述第一柵極絕緣層被蝕刻。

2.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，

所述薄膜層的材料為SiN_x，其厚度小于第一柵極絕緣層的材料為SiO_x或SiO_x和SiN_x的混疊，所述第二柵極絕緣層的材料為SiO_x。

3.根據權利要求2所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，

所述第一柵極絕緣層的致密度大于所述第二柵極絕緣層的致密度。

4.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，

所述檢測是否蝕刻到所述薄膜層的步驟，包括：

檢測蝕刻到的膜層中是否具有預設元素成分；

所述如果蝕刻到所述薄膜層，則停止蝕刻的步驟，包括：

如果檢測到蝕刻到的膜層中具有預設元素成分，則停止蝕刻。

5.根據權利要求4所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，

采用蝕刻終點監控器偵測蝕刻到的膜層中的元素成分，所述預設元素成分為氮元素。

6.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，

采用化學氣相沉積法分別形成所述第一柵極絕緣層、所述薄膜層和所述第二柵極絕緣層，采用物理氣相沉積法形成所述柵極金屬層；利用干法刻蝕對所述柵極金屬層和所述第二柵極絕緣層進行圖案化蝕刻。

7.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，

所述在所述襯底上依次設置第一柵極絕緣層、薄膜層、第二柵極絕緣層和柵極金屬層的步驟之前，包括：

在所述襯底上依次形成光遮擋層、緩沖層和多晶硅層；其中，所述緩沖層包括層疊設置的SiN_x層和SiO_x層。

8.一種陣列基板，包括層疊設置的襯底、第一柵極絕緣層、薄膜層、第二柵極絕緣層和柵極金屬層，所述薄膜層材料不同于所述第二柵極絕緣層材料。

9.一種顯示面板，其特征在于，包括陣列基板、與所述陣列基板相對設置的彩膜基板以及所述陣列基板與所述彩膜基板之間的液晶層，所述陣列基板為如權利要求8中所述的陣列基板。

10.根據權利要求9所述的顯示面板，其特征在于，

所述陣列基板包括層疊設置的襯底、第一柵極絕緣層、薄膜層、第二柵極絕緣層和柵極金屬層，其中，所述第一柵極絕緣層的厚度滿足離子摻雜所需的厚度條件。