[發(fā)明專利]一種晶圓上接觸孔的制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201810679917.7
• 申請日: 2018-06-27
• 公開（公告）號: CN108878353A
• 公開（公告）日: 2018-11-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 宋保英;謝巖
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 俞滌炯

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種晶圓上接觸孔的制備方法，包括：步驟S1，提供一襯底，并于襯底上形成絕緣層，絕緣層的上表面定義有中心區(qū)和圍繞中心區(qū)的邊緣區(qū)；步驟S2，于中心區(qū)內(nèi)的絕緣層的上表面形成具有刻蝕圖案的第一光阻層；步驟S3，于邊緣區(qū)內(nèi)的絕緣層的上表面制備第二光阻層，以覆蓋邊緣區(qū)內(nèi)暴露出的絕緣層的上表面；步驟S4，對刻蝕圖案暴露出的絕緣層進行刻蝕，以在絕緣層中形成連接襯底的至少一個接觸孔溝槽；能夠避免晶邊處的絕緣層被誤刻蝕，從而避免產(chǎn)生尖端放電缺陷，保證了產(chǎn)品良率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種晶圓上接觸孔的制備方法。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，晶圓產(chǎn)品的良率越來越受到業(yè)界的關(guān)注，高良率的產(chǎn)品能夠極大地保證用戶的體驗。

以三維芯片工藝為例，在制備芯片的金屬互聯(lián)層的過程中，一般需要采用光刻會絕緣層進行刻蝕，但是，晶邊處往往會存在光阻層遮蔽不到的地方，這些被忽略的地方很容易造成絕緣層表面被部分刻蝕，從而容易產(chǎn)生尖端放電導(dǎo)致晶圓表面被擊穿的產(chǎn)品缺陷。

發(fā)明內(nèi)容

針對上述問題，本發(fā)明提出了一種晶圓上接觸孔的制備方法，其中，包括：

步驟S1，提供一襯底，并于所述襯底上形成絕緣層，所述絕緣層的上表面定義有中心區(qū)和圍繞所述中心區(qū)的邊緣區(qū)；

步驟S2，于所述中心區(qū)內(nèi)的所述絕緣層的上表面形成具有刻蝕圖案的第一光阻層；

步驟S3，于所述邊緣區(qū)內(nèi)的所述絕緣層的上表面制備第二光阻層，以覆蓋所述邊緣區(qū)內(nèi)暴露出的所述絕緣層的上表面；

步驟S4，對所述刻蝕圖案暴露出的所述絕緣層進行刻蝕，以在所述絕緣層中形成連接所述襯底的至少一個接觸孔溝槽。

上述的制備方法，其中，還包括：

步驟S5，采用金屬填充每個所述接觸孔溝槽，形成接觸孔。

上述的制備方法，其中，還包括：

步驟S6，去除所述第一光阻層和所述第二光阻層。

上述的制備方法，其中，所述步驟S1中，所述絕緣層為復(fù)合絕緣層；

所述復(fù)合絕緣層的形成方法具體為：從所述襯底的上表面開始依次堆疊第一氮化層、第一氧化層、第二氮化層和第二氧化層。

上述的制備方法，其中，所述第一氮化層和所述第二氮化層均為氮化硅層。

上述的制備方法，其中，所述第一氧化層和所述第二氧化層均為氧化硅層。

上述的制備方法，其中，所述襯底為硅襯底。

上述的制備方法，其中，所述步驟S4中，對所述刻蝕圖案暴露出的所述絕緣層進行的刻蝕為欠刻蝕，刻蝕停止于所述第一氮化層中。

上述的制備方法，其中，所述步驟S4中，采用等離子刻蝕工藝對所述絕緣層進行刻蝕。

有益效果：本發(fā)明提出的一種晶圓上接觸孔的制備方法，能夠避免晶邊處的絕緣層被誤刻蝕，從而避免產(chǎn)生尖端放電缺陷，保證了產(chǎn)品良率。

附圖說明

圖1為本發(fā)明一實施例中晶圓上接觸孔的制備方法的步驟流程圖；

圖2～3為本發(fā)明一實施例中晶圓上接觸孔的制備方法中各步驟形成的結(jié)構(gòu)原理圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明進行進一步說明。

在一個較佳的實施例中，如圖1所示，提出了一種晶圓上接觸孔的制備方法，各步驟形成的結(jié)構(gòu)可以如圖2～3所示，其中，可以包括：