[發明專利]一種晶圓上接觸孔的制備方法

在審

• 申請號: 201810679917.7
• 申請日: 2018-06-27
• 公開（公告）號: CN108878353A
• 公開（公告）日: 2018-11-23
• 發明（設計）人: 宋保英;謝巖
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 俞滌炯

1.一種晶圓上接觸孔的制備方法，其特征在于，包括：

步驟S1，提供一襯底，并于所述襯底上形成絕緣層，所述絕緣層的上表面定義有中心區和圍繞所述中心區的邊緣區；

步驟S2，于所述中心區內的所述絕緣層的上表面形成具有刻蝕圖案的第一光阻層；

步驟S3，于所述邊緣區內的所述絕緣層的上表面制備第二光阻層，以覆蓋所述邊緣區內暴露出的所述絕緣層的上表面；

步驟S4，對所述刻蝕圖案暴露出的所述絕緣層進行刻蝕，以在所述絕緣層中形成連接所述襯底的至少一個接觸孔溝槽。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，還包括：

步驟S5，采用金屬填充每個所述接觸孔溝槽，形成接觸孔。

3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，還包括：

步驟S6，去除所述第一光阻層和所述第二光阻層。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S1中，所述絕緣層為復合絕緣層；

所述復合絕緣層的形成方法具體為：從所述襯底的上表面開始依次堆疊第一氮化層、第一氧化層、第二氮化層和第二氧化層。

5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述第一氮化層和所述第二氮化層均為氮化硅層。

6.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述第一氧化層和所述第二氧化層均為氧化硅層。

7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述襯底為硅襯底。

8.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S4中，對所述刻蝕圖案暴露出的所述絕緣層進行的刻蝕為欠刻蝕，刻蝕停止于所述第一氮化層中。

9.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S4中，采用等離子刻蝕工藝對所述絕緣層進行刻蝕。