[發明專利]可控硅控制裝置及方法

在審

• 申請號: 201810679551.3
• 申請日: 2018-06-27
• 公開（公告）號: CN108880523A
• 公開（公告）日: 2018-11-23
• 發明（設計）人: 余久平
• 申請（專利權）人: 北京小米移動軟件有限公司;北京智米科技有限公司
• 主分類號: H03K17/725
• 分類號: H03K17/725
• 代理公司: 北京格羅巴爾知識產權代理事務所(普通合伙) 11406
• 代理人: 孫德崇

本公開是關于一種可控硅控制裝置及方法。該裝置包括：過零觸發光耦和可控硅，可控硅、負載以及交流電源串聯連接；過零觸發光耦與交流電源以及可控硅的控制極連接，并接收來自脈沖發生裝置的脈沖寬度調制信號，其中，過零觸發光耦在接收到的脈沖寬度調制信號為高電平、且檢測到交流電源提供的交流電的過零點時，向可控硅的控制極提供觸發電壓，以使可控硅導通。本公開實施例所提供的可控硅控制裝置及方法，在交流電的過零點打開或關閉可控硅，對裝置的功率進行調整，不會為裝置帶來額外的電磁干擾，控制可控硅的方式簡單，成本低。

技術領域

本公開涉及自動控制技術領域，尤其涉及一種可控硅控制裝置及方法。

背景技術

在自動控制系統中，可控硅(Silicon Controlled Rectifier，簡稱SCR，也稱晶閘管)可作為大功率驅動器件，實現用小功率控件控制大功率設備。相關技術中，通過調相的方式對可控硅的導通進行控制，以調節電路的功率。但這種方式會帶來電磁干擾(Electromagnetic Interference，簡稱EMI)等問題。

發明內容

為克服相關技術中存在的問題，本公開提供一種可控硅控制裝置及方法。

根據本公開實施例的第一方面，提供一種可控硅控制裝置，所述裝置包括：過零觸發光耦和可控硅，

所述可控硅、負載以及交流電源串聯連接；

所述過零觸發光耦與所述交流電源以及所述可控硅的控制極連接，并接收來自脈沖發生裝置的脈沖寬度調制信號，其中，在接收到的脈沖寬度調制信號為高電平、且檢測到所述交流電源提供的交流電的過零點時，向所述可控硅的控制極提供觸發電壓，以使所述可控硅導通。

對于上述裝置，在一種可能的實現方式中，所述脈沖寬度調制信號的頻率小于或等于所述交流電的頻率。

對于上述裝置，在一種可能的實現方式中，所述可控硅包括：第一單向可控硅和第二單向可控硅，

所述第一單向可控硅和所述第二單向可控硅反向并聯后，與所述負載以及所述交流電源串聯，

其中，所述第一單向可控硅的陽極連接到所述第二單向可控硅的陰極，所述第一單向可控硅的陰極連接到所述第二單向可控硅的陽極。

對于上述裝置，在一種可能的實現方式中，所述可控硅包括雙向可控硅。

對于上述裝置，在一種可能的實現方式中，所述過零觸發光耦的第一端用于接收所述脈沖寬度調制信號，所述過零觸發光耦的第二端接地，所述過零觸發光耦的第三端連接到所述第二單向可控硅的控制極，所述過零觸發光耦的第四端連接到所述第一單向可控硅的控制極；

其中，在所述過零觸發光耦接收到的脈沖寬度調制信號為高電平、且檢測到所述交流電的過零點時，所述過零觸發光耦向所述第一單向可控硅的控制極、所述第二單向可控硅的控制極提供觸發電壓，以使所述第一單向可控硅或所述第二單向可控硅導通。

對于上述裝置，在一種可能的實現方式中，所述裝置還包括：第一電阻、第二電阻、第一二極管和第二二極管，

所述第一電阻和所述第一二極管并聯后，連接到所述第二單向可控硅的控制極和所述第二單向可控硅的陰極之間；

所述第二電阻和所述第二二極管并聯后，連接到所述第一單向可控硅的控制極和所述第一單向可控硅的陰極之間。

對于上述裝置，在一種可能的實現方式中，所述過零觸發光耦的第一端用于接收所述脈沖寬度調制信號，所述過零觸發光耦的第二端接地，所述過零觸發光耦的第三端和第四端分別連接到所述雙向可控硅的陽極和控制極；

其中，在所述過零觸發光耦接收到的脈沖寬度調制信號為高電平、且檢測到所述交流電的過零點時，所述過零觸發光耦向所述雙向可控硅的控制極提供觸發電壓，以使所述雙向可控硅導通。