[發明專利]可控硅控制裝置及方法

在審

• 申請號: 201810679551.3
• 申請日: 2018-06-27
• 公開（公告）號: CN108880523A
• 公開（公告）日: 2018-11-23
• 發明（設計）人: 余久平
• 申請（專利權）人: 北京小米移動軟件有限公司;北京智米科技有限公司
• 主分類號: H03K17/725
• 分類號: H03K17/725
• 代理公司: 北京格羅巴爾知識產權代理事務所(普通合伙) 11406
• 代理人: 孫德崇

1.一種可控硅控制裝置，其特征在于，所述裝置包括：過零觸發光耦和可控硅，

所述可控硅、負載以及交流電源串聯連接；

所述過零觸發光耦與所述交流電源以及所述可控硅的控制極連接，并接收來自脈沖發生裝置的脈沖寬度調制信號，其中，在接收到的脈沖寬度調制信號為高電平、且檢測到所述交流電源提供的交流電的過零點時，向所述可控硅的控制極提供觸發電壓，以使所述可控硅導通；

所述過零觸發光耦為能夠檢測到交流電的過零點的光耦。

2.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述脈沖寬度調制信號的頻率小于或等于所述交流電的頻率。

3.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述可控硅包括：第一單向可控硅和第二單向可控硅，

所述第一單向可控硅和所述第二單向可控硅反向并聯后，與所述負載以及所述交流電源串聯，

其中，所述第一單向可控硅的陽極連接到所述第二單向可控硅的陰極，所述第一單向可控硅的陰極連接到所述第二單向可控硅的陽極。

4.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述可控硅包括雙向可控硅。

5.根據權利要求3所述的裝置，其特征在于，

所述過零觸發光耦的第一端用于接收所述脈沖寬度調制信號，所述過零觸發光耦的第二端接地，所述過零觸發光耦的第三端連接到所述第二單向可控硅的控制極，所述過零觸發光耦的第四端連接到所述第一單向可控硅的控制極；

其中，在所述過零觸發光耦接收到的脈沖寬度調制信號為高電平、且檢測到所述交流電的過零點時，所述過零觸發光耦向所述第一單向可控硅的控制極、所述第二單向可控硅的控制極提供觸發電壓，以使所述第一單向可控硅或所述第二單向可控硅導通。

6.根據權利要求5所述的裝置，其特征在于，所述裝置還包括：第一電阻、第二電阻、第一二極管和第二二極管，

所述第一電阻和所述第一二極管并聯后，連接到所述第二單向可控硅的控制極和所述第二單向可控硅的陰極之間；

所述第二電阻和所述第二二極管并聯后，連接到所述第一單向可控硅的控制極和所述第一單向可控硅的陰極之間。

7.根據權利要求4所述的裝置，其特征在于，

所述過零觸發光耦的第一端用于接收所述脈沖寬度調制信號，所述過零觸發光耦的第二端接地，所述過零觸發光耦的第三端和第四端分別連接到所述雙向可控硅的陽極和控制極；

其中，在所述過零觸發光耦接收到的脈沖寬度調制信號為高電平、且檢測到所述交流電的過零點時，所述過零觸發光耦向所述雙向可控硅的控制極提供觸發電壓，以使所述雙向可控硅導通。

8.根據權利要求7所述的裝置，其特征在于，所述裝置還包括：第三電阻、第四電阻和第三二極管，

所述第三電阻和所述第三二極管并聯后，連接到所述雙向可控硅的控制極和陰極之間；

所述第四電阻連接到所述雙向可控硅的陽極和所述過零觸發光耦的第三端之間。

9.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述裝置還包括：第五電阻和電容器，

所述第五電阻和所述電容器串聯后，并聯連接到所述可控硅的兩端。

10.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述過零觸發光耦在接收到的脈沖寬度調制信號為高電平時，對所述交流電進行過零點檢測，并在檢測到所述交流電的過零點時，向所述可控硅的控制極提供觸發電壓。

11.一種可控硅控制方法，其特征在于，應用于可控硅控制裝置中，所述裝置包括過零觸發光耦和可控硅，所述方法包括：

在所述過零觸發光耦接收到的脈沖寬度調制信號為高電平時，對交流電源提供的交流電進行過零點檢測；

在檢測到所述交流電的過零點時，向所述可控硅的控制極提供觸發電壓。