[發明專利]COA型陣列基板及其制作方法在審
| 申請號: | 201810679386.1 | 申請日: | 2018-06-27 |
| 公開(公告)號: | CN108873519A | 公開(公告)日: | 2018-11-23 |
| 發明(設計)人: | 李蘭艷 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識產權代理事務所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 彩色光阻層 抗反射層 襯底基板 陣列基板 光刻膠材料 關鍵尺寸均勻度 幾何結構 曝光能量 曲線效應 鈍化層 反射光 光分量 均一性 焦距 分辨率 擺動 凹缺 構型 相移 制程 制作 曝光 緩解 | ||
本發明提供一種COA型陣列基板及其制作方法。該COA型陣列基板包括:襯底基板、設于所述襯底基板上的TFT層、設于所述TFT層上的抗反射層以及設于所述抗反射層上的彩色光阻層,該抗反射層通過在彩色光阻層的光刻膠材料的曝光時產生相移光分量減弱反射光,能有效增加彩色光阻層的光刻膠材料的曝光能量范圍和焦距,降低襯底基板及TFT層所構成的基體的幾何結構差異對彩色光阻層關鍵尺寸均勻度的影響,緩解基體的構型導致彩色光阻層厚度不同而引起的擺動曲線效應和凹缺效應,從而提高彩色光阻層關鍵尺寸的均一性以及彩色光阻層的分辨率,并且該抗反射層還能直接代替現有技術中形成于TFT層與彩色光阻層之間的鈍化層,簡化制程,節省成本。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種COA型陣列基板及其制作方法。
背景技術
薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT)是目前液晶顯示裝置(Liquid CrystalDisplay,LCD)和有源矩陣驅動式有機電致發光顯示裝置(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode,AMOLED)中的主要驅動元件,直接關系平板顯示裝置的顯示性能。
現有市場上的液晶顯示器大部分為背光型液晶顯示器,其包括液晶顯示面板及背光模組(backlight module)。液晶顯示面板的工作原理是在薄膜晶體管基板(Thin FilmTransistor Array Substrate,TFT Array Substrate)與彩色濾光片(Color Filter,CF)基板之間灌入液晶分子,并在兩片基板上分別施加像素電壓和公共電壓,通過像素電壓和公共電壓之間形成的電場控制液晶分子的旋轉方向,以將背光模組的光線折射出來產生畫面。
隨著光電技術的蓬勃發展,光刻技術向著更高分辨率的方向邁進,要求紅綠藍子像素的線寬越來越小。液晶顯示面板中制作紅色色阻、綠色色阻及藍色色阻等光刻膠形成的圖形由于駐波效應,搖擺效應和凹缺效應等影響到光刻膠的成型狀況,例如駐波效應使光刻膠在曝光過程中,透射光與反射光之間會發生干涉,這種相同頻率的光波之間的干涉會在光刻膠的曝光區域內形成駐波,導致光刻膠在顯影后會形成波浪狀的不平整側壁。尤其是現在采用的將彩色濾光片制作在陣列基板上(Color-filter On Array,COA)的技術,將隔墊物制作在陣列基板上(Post Spacer On Array,POA)的技術液晶顯示器中表現尤為顯著。
發明內容
本發明的目的在于提供一種COA型陣列基板,能夠提高彩色光阻層關鍵尺寸的均一性以及彩色光阻層的分辨率。
本發明的目的還在于提供一種COA型陣列基板的制作方法,能夠提高彩色光阻層關鍵尺寸的均一性以及彩色光阻層的分辨率。
為實現上述目的,本發明提供了一種COA型陣列基板,包括:襯底基板、設于所述襯底基板上的TFT層、設于所述TFT層上的抗反射層以及設于所述抗反射層上的彩色光阻層。
所述抗反射層包括共混型材料、主鏈型材料或接枝型材料。
所述接枝型材料包括聚合物主鏈及接枝于所述聚合物主鏈上的多個吸光基團。
所述吸光基團包括吸收波長為200-400um的光線的吸光材料。
所述TFT層包括設于所述襯底基板上的第一金屬層、設于所述第一金屬層上的絕緣層、設于所述絕緣層上的有源層以及設于所述有源層上的第二金屬層。
所述COA型陣列基板還包括設于所述彩色光阻層上的保護層以及設于所述保護層上的像素電極,所述像素電極通過一貫穿抗反射層、彩色光阻層及保護層的過孔與第二金屬層接觸。
所述襯底基板的材料為玻璃;所述第一金屬層和第二金屬層的材料均為鋁、銅、鋁合金及銅合金中的一種;所述抗反射層的厚度為1-5um;所述彩色光阻層包括紅色色阻、綠色色阻及藍色色阻;所述保護層的材料為氮化硅、氧化硅或有機透明光阻。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳市華星光電技術有限公司,未經深圳市華星光電技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810679386.1/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





